第四章嵌入式系统的存储器系统.pptVIP

嵌入式系统设计 —基于ARM9微处理器S3C2410A 第4章 嵌入式系统的存储器系统南阳师范学院张帅;4.1 存储器系统概述;图4.1.1 存储器系统层次结构 ; 在这种存储器分层结构中，上面一层的存储器作为下一层存储器的高速缓存。 CPU寄存器就是cache的高速缓存，寄存器保存来自cache的字； cache又是内存层的高速缓存，从内存中提取数据送给CPU进行处理，并将CPU的处理结果返回到内存中； 内存又是主存储器的高速缓存，它将经常用到的数据从Flash等主存储器中提取出来，放到内存中，从而加快了CPU的运行效率。 嵌入式系统的主存储器容量是有限的，磁盘、光盘或CF、SD卡等外部存储器用来保存大信息量的数据。在某些带有分布式文件系统的嵌入式网络系统中，外部存储器就作为其他系统中被存储数据的高速缓存。;4.2.1 常见的嵌入式系统存储设备 1．RAM（随机存储器） RAM可以被读和写，地址可以以任意次序被读。常见RAM的种类有SRAM（Static RAM，静态随机存储器）、DRAM（Dynamic RAM，动态随机存储器）、DDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍速率随机存储器）。其中，SRAM比DRAM运行速度快，SRAM比DRAM耗电多，DRAM需要周期性刷新。 2．ROM（只读存储器） ROM在烧入数据后，无需外加电源来保存数据，断电后数据不丢失，但速度较慢，适合存储需长期保留的不变数据。在嵌入式系统中，ROM用固定数据和程序。 ;3．Flash Memory Flash memory（闪速存储器）是嵌入式系统中重要的组成部分，用来存储程序和数据，掉电后数据不会丢失。但在使用Flash Memory时，必须根据其自身特性，对存储系统进行特殊设计，以保证系统的性能达到最优。 Flash Memory是一种非易失性存储器，根据结构的不同可以将其分成NOR Flash和NAND Flash两种。 Flash Memory在物理结构上分成若干个区块，区块之间相互独立。NOR Flash把整个存储区分成若干个扇区（Sector），而NAND Flash把整个存储区分成若干个块（Block），可以对以块或扇区为单位的内存单元进行擦写和再编程。;NAND和NOR——性能比较;NAND和NOR——接口差别;NAND和NOR——容量和成本;NAND和NOR——可靠性和耐用性;应用程序可以直接在NOR Flash内运行，不需要再把代码读到系统RAM中运行。NOR Flash的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND Flash结构可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，应用NAND Flash的困难在于需要特殊的系统接口。 在NOR Flash上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序（MTD ）。NAND Flash和NOR Flash在进行写入和擦除操作时都需要MTD。在NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的擦写次数是十万次。NAND Flash除了具有10:1的块擦除周期优势，典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍，每个NAND Flash的内存块在给定的时间内删除次数要少一些。; 4．标准存储卡（Compact Flash，CF卡） 5．安全数据卡（Secure Digital Card，SD卡） 6．硬盘存储器 最常见的硬盘接口是IDE（ATA）和SCSI两种，一些移动硬盘采用PCMCIA或USB接口。 ;4.4 NAND Flash接口电路;NAND Flash控制器具有以下特性： NAND Flash模式：支持读／擦除／编程NAND Flash存储器。 自动启动模式：复位后，启动代码被传送到Steppingstone中。传送完毕后，启动代码在Steppingstone中执行。 ● 具有硬件ECC产生模块（硬件生成校验码和通过软件校验）。 ● 在NAND Flash启动后，Steppingstone 4KB内部SRAM缓冲器可以作为其他用途使用。 ● NAND Flash控制器不能通过DMA访问，可以使用LDM/ STM指令来代替DMA操作。 2．S3C2410A NAND Flash控制器结构 NAND Flash控制器的内部结构方框图如图4.4.1所示。NAND Flash的工作模式如图4.4.2所示。;图4.4.1 NAND Flash控制器内部结构方