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第 ３６ 卷 ，第 ２ 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 . ３６ ， . ２ ， ３２６‐３３０ ２ ０ １ ６ 年 ２ 月 Vol No ，p２p０１６ Spectroscopy and Spectral Analysis February 沉积压力对氢化非晶硅薄膜特性的影响 袁俊宝１ ，杨 雯１ ，陈小波１ ，２ ，杨培志１ * ，宋肇宁３ １ ．云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室 ，云南 昆明 ６５００９２ ２ ．四川文理学院物理与机电工程学院 ，四川 达州 ６３５０００ ３ ． ， ， ４３６０６ ， Department of Physics and Astronomy U niversity of Toledo Toledo O H USA 摘 要 采用等离子增强化学气相沉积（ ）系统 ，以乙硅烷和氢气为气源 ，普通钠钙玻璃为衬底制备 PECVD 了氢化非晶硅（ ‐ ∶ ）薄膜 ，研究了沉积压力对非晶硅薄膜的沉积速率 、光学带隙以及结构因子的影响 。 a Si H 采用台阶仪 、紫外可见分光光度计 、傅里叶变换红外光谱仪和扫描电子显微镜等手段分别表征了 ‐ ∶ 薄 a Si H 膜的沉积速率 ，光学带隙 、结构因子和表面形貌 。结果表明 ：随着沉积压力的增加 ，沉积速率呈现先上升后 下降的趋势 ，光学带隙不断下降 。当沉积压力小于 ２１０ 时 ，以 键存在的 原子较多 ，而以 ２ 或 Pa SiH H SiH ３ 等形式存在的 较少 ；当沉积压力大于 ２１０ 时 ，以 ２ ，（ ２ ）n 或 ３ 等形式存在的 较多 。 SiH H Pa SiH SiH SiH H 通过结构因子的计算 ，发现沉积压力在 １１０ ～ ２１０ 的范围内沉积的薄膜质量较好 。