纳米球刻蚀法制备的二维有序的！#纳米阵列及其光学性.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’( #$$) @,2;’(，R,;，=+1J/，#$$) （ ） !$$$D#%$M#$$)M’( $ M!%’!D$’ N9LN 7OP8Q9N 8QRQ9N !#$$) 9/3*; 7/6-; 8,J; 纳米球刻蚀法制备的二维有序的 !# 纳米阵列 及其光学性质的研究! 孙 萍!） 徐 岭!） 赵伟明!） 李 卫!） 徐 骏!） 马忠元!） 吴良才#） 黄信凡!） 陈坤基!） !）（南京大学物理系，固体微结构国家重点实验室，南京 #!$$%） #）（上海微系统和技术信息研究所，上海 #$$$’$） （#$$( 年 ( 月 # 日收到；#$$( 年 ) 月 # 日收到修改稿） 采用纳米球刻蚀（*+*,-./010 234/,51+./6）技术，以自组装的聚苯乙烯纳米小球（.,26-4610*0，78 小球）的单层膜为掩 模，制备出二维有序的 9:8 纳米阵列 ; 利用扫描电子显微镜（8=）对样品结构进行了表征，用紫外— 可见分光光度 计对样品光学性质进行了分析 ; 结果表明：制备的二维 9:8 纳米阵列是高度有序的，且与作为掩模的纳米小球的原 始尺寸及排布结构一致；禁带宽度为 #?$ 0@，相对于体材料的 #A# 0@，向短波长蓝移了 $!) 0@，表现出 9:8 材料在 纳米结构点阵中的量子尺寸效应；9:8 纳米阵列在长波段透光性较好，短波段透光性几乎为零，表现出良好的光透 选择性 ; 关键词：纳米球刻蚀，二维 9:8 纳米有序阵列 $%!!：)!!?，)!!?B，)!!’，()?’ 种途径，即颗粒的自组织排列和刻蚀技术，前者只能 ! 引 言 形成小尺度的规则排列，且无法实现颗粒间隔、周期 等参数的控制；而刻蚀法，原则上可以实现大尺度 当半导体材料的尺寸达到纳米量级时，将具有 （宏观尺寸）的规则排列，并能控制颗粒间距，但现 许多奇特的物理性质，表现出既有别于相应体材料 行的标准刻蚀法，如光刻蚀［#］，由于受衍射极限分辨 ［ ，］ 又不同于单个分子的性质; 在众多半导体材料中，硫 率的限制，难以用于制造纳米结构；电子束 # 、K 射 化镉（ ）是一种典型的直接带隙半导体，具有优 ［A］ ［’］ 9:8 线 及 8L= 等刻蚀技术，设备复杂，成本昂贵，效 ［ ］ 异的光电转换特性 ! ; 9:8 纳米化以后，量子尺寸效 率低，对于大面积制备纳米颗粒阵列体系还存在困 应使 9:8 能级改变、能隙变宽，吸收和发射光谱向短 难 ; 近年来，国际上采用了一种新的刻蚀方法