非平衡载流子答辩.pptVIP

非 平 衡 载 流 子;主要内容：;§5.1 非平衡载流子的注入与复合;一、非平衡载流子的产生 ;2．电注入（ PN结正向工作时）;对同块材料 ：;注意： ;● 注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的多子浓 度，称为大注入。 ;二、非平衡时的附加电导 ;热平衡时： ;——附加电导率 ;三、非平衡载流子的复合;§5.2 非平衡载流子的寿命;2．非子的平均寿命? 的计算;(2) 取消光照 ;（3）非子的平均寿命? ;当?t?0时，t时刻单位时间单位体积被复合掉的非子数 ，为：; C为积分常数 ;0;非子的平均寿命： ;§5.3 准 费 米 能 级;二、非平衡态时的载流子浓度 ;2．准费米能级的位置 ;N型材料： ;N型;3．非平衡态的浓度积与平衡 态时的浓度积;ni2 ;§5.4 复 合 理 论;直接复合： ;按复合发生的位置分 ;二、非子的直接复合 ;当n=n0，p=p0时， ;单位时间、单位体积中产生的载流子，用G表示;非平衡态下的产生率;非子寿命;;∴ ;;Ec;电子由Ec→Et;;2．复合稳态时复合中心的电子浓度 ;3．间接复合的复合率u和寿命?;寿命和复合中心浓度成反比。;4、有效复合中心;5、俘获截面;在复合率U的公式中，可用俘获截面来替代 rn和rp ;四、表面复合;：为样品表面处单位体积的载流子数(表面处的非子浓度1/cm3) ;2．影响表面复合的因素及寿命表示式 ;§5.5 陷 阱 效 应;对于 ;二、陷阱效应的分析 ;为陷阱上的非子积累浓度，即非平衡时电子的变化量。 ;2．陷阱上的电子对电导的间接贡献 ; 有电子陷阱后：以p型为例，少子为电子;●当EtEF时，平衡时基本上空的，有利于陷阱的作用，但随Et的升高，即Ec-Et小，电子可以从Et 激发到Ec的几率增大，俘获变大，所以在费米能级之上但接近费米能级的杂质能级的陷阱效应最明显； ;§5.6 载 流 子 的 扩 散 运 动;一、扩散定律和稳态扩散方程 ;;在x=x处，取截面A，x=x+?x处取截面B，两截面垂直于x轴，并且都为单位面积1cm2 ; 在x+?x处，流密度为Sp(x+?x) ;单位时间单位体积被复合掉的非子为 ：;在稳态时，积累的载流子应等于复合掉的载流子 ;4．非平衡载流子的扩散电流密度 ;;§5.7 载流子的漂移运动 与爱因斯坦关系;2．多子电子电流密度 ;??多子电流密度： ;二、爱 因 斯 坦 关 系 ;电子扩散电流密度： ;考虑附加的静电势，导带底的能量应为: Ec-qV(x) ;∴ ;对于空穴： ;利用爱因斯坦关系，可得总电流密度： ;1．在漂移运动和扩散运动同时存在时，少子电流连续性方程的一般形式: ;以N型半导体为例:;在单位时间中净留在单位体积中的空穴数为： ;电场也变化;(2) 其它因素的产生率gp;第五章作业： 1、简述半导体中非平衡载流子几种主要的复合方式。 2、解释半导体中陷阱及陷阱中心的概念。;The End