碲镉汞p-on-n光伏器件优化掺杂的理论计算.pdfVIP

下载本文档

14
0
约1.61万字
约 3页
2017-04-27 发布于北京
举报
版权申诉

碲镉汞p-on-n光伏器件优化掺杂的理论计算.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

碲镉汞p-on-n光伏器件优化掺杂的理论计算.pdf

红外与毫米波学报第 21 卷第 1 期 VoI. 21，No. 1 2002 年 2 月 J. Infrared MiIIim . Waves February，2002 碲镉汞光伏器件优化掺杂的理论计算 p-on-n ! 李向阳方家熊（中国科学院上海技术物理研究所，传感技术国家重点实验室，上海，200083）摘要从理论上考虑了碲镉汞长波光电二极管的主要电流机制，并采用合适的参数对进行了计算结果表 R0 A . 明，由于隧道电流的限制，对于一定的衬底浓度，选择 p 区掺杂的浓度不宜过大，反之亦然 . 计算得到了优化掺杂浓度与衬底浓度的关系和相应的值 R0 A . 关键词碲镉汞光电二极管，p-on-n 型，优化设计 . THEORETICAL CALCULATION OF DOPING OPTIMIZATION FOR p-on-n HgCdTe PHOTODIODE! LI Xiang-yang FANG Jia-Xiong （NationaI State Key Laboratory of Transducer TechnoIogy，Shanghai Institute of TechnicaI Physics， Chinese Academy of Sciences，Shanghai 200083，China） Abstract By considering the main current mechanism in the Iong-waveIength HgCdTe photodiode，theoreticaI caIcuIation ，， of R0 A was done by choosing proper parameters. CaIcuIations show that given n side substrate concentration the p side doping concentration shouId not be too Iarge on considering the Iimitation of the tunneIing current，and vice versa. The re- Iation of optimaI concentration wit