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离子源偏压对PIA-EB-Hf法制备的HfO2激光薄膜性能的影响.pdf
??32????1?? 无机材料学报 Vbl??32No??1
2017??1?? Journal ? Inorganic Materials Jan????2017
文章编号：??．?????????? DOI??10??15541??ji
????????????PIA??EB??Hf????????Hf02??????????????????
??????1??2??????1????????1????????1??????2??????1
(1????????????????????????????????????????????????????201800??2????????????????????????????????
??200444)
摘要：探究??薄膜的激光损伤特性以进一步提高激光损伤阈值??? Induced ??? ??????虺芁??，
对其在高功率激光系统中的广泛应用具有重要的意义。在不同的离子源偏压下，采用等离子体辅助电子束蒸发金属
??(HO??????(02)??????????????????????????????1064?，光学厚度为?的??薄膜样品。测试了薄膜组分
和残余应力：根据透射谱拟合了薄膜的折射率；通过??淄己蚐?表面形貌图分析了薄膜的微观结构；对激光
??????????????????????????????????????????????????100V????????????????????Off-If??????????????????
折射率均随偏压降低而减小。薄膜内存在结晶，激光能量在晶界缺陷处被强烈聚集和吸收，加速了膜层的破坏，形
????????????????????????????????????????????????????????????????????????(111)??????(002)????????????
面能降低；晶粒减小，结构更均匀，缓解了激光能量在晶界处的局部聚集与吸收，表现出较大的激光损伤阈值。
关 键 词：??薄膜；等离子体辅助电子束蒸发；离子源偏压；微观结构；激光损伤
中图分类号：?? ????????????A
APS ?? Voltage ? ????? ? ?? Laser ?? Deposited
? ???? ??? Ion ???? ???? Evaporation
? Chao??Lil2??YANGYon91??MAYun??Fen91??WEIYu??Quanl??JIAOZhen92??HUANGZheng??Renl
?．????? Ceramic Engineering ???? Center,Shanghai Institute ? Ceramics??ChineseAcademy ? ????，????
201800??China??2??CollegeofEnvironmental Chemistry and Engineering??ShanghaiUniversity,Shanghai ???，???
Abstract??The?? laser ?? films ?? deposited ?
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