第六章化学气相淀积选编.ppt

集成电路制造技术第六章 化学气相淀积 ;本章主要内容;第六章 化学气相淀积 ;CVD氧化层与热生长氧化层的比较;CVD氧化硅vs.热生长氧化硅;CVD介质薄膜的应用;浅槽隔离 (STI);侧墙隔离（Sidewall spacer）;CVD介质层的应用实例;6.1 CVD模型;CVD过程示意;CVD气体的流动;6.1.2 边界层理论 CVD气体的特性：平均自由程远小于反应室尺寸，具有黏滞性； 平流层：主气流层，流速Um 均一； 边界层（附面层、滞留层）：流速受到扰动的气流层； 泊松流（Poisseulle Flow）：沿主气流方向（平行Si表面）没有速度梯度，沿垂直Si表面存在速度梯度的流体；;CVD边界层模型;6.1.2 边界层理论 边界层厚度δ（x）：流速小于0.99 Um 的区域； δ（x）=（μx/ρU)1/2 μ-黏滞系数，x-与基座的距离，ρ-密度，U-边界层流速； 平均厚度 或 Re= ρUL /μ，雷诺数（无量纲） 雷诺数取值：200，平流型；商业CVD：Re=50-100； 2100，湍流型（要避免）。;6.1.3 Grove模型 ①假定边界层中反应剂的浓度梯度为线性近似，则扩散流密度 F1=hg(Cg-Cs) hg - 气相质量转移系数， Cg- 主气流中反应剂浓度， Cs - 表面处反应剂浓度； ②表面的化学反应速率正比于Cs，则反应流密度 F2=ksCs ③平衡状态下，F=F1=F2，则 Cs = Cg/(1+ks/hg);平衡下，Cs = Cg/(1+ks/hg) ④两种极限： a. hg ks时， Cs → Cg ， 反应控制； b. hg ks时， Cs → 0， 扩散控制； ;⑤薄膜淀积速率G 设形成一个单位体积薄膜所需的原子数为N1， （Si：N1=5x1022cm-3；），则CVD淀积速率为 G=F/N1=G=F2/N1=[kshg/(ks+hg)](Cg/N1) （μm/min） 其中，Cg=YCT,(若反应剂被稀释) Y-反应剂的摩尔百分比，CT-分子总数/cm3； 一般表达式：G=[kshg/(ks+hg)](CT/N1)Y 两种极限情况 ①反应控制：hg ks，则 G=（CTksY)/N1 ； ②扩散控制：hg ks，则 G=（CThgY)/N1 ；;影响淀积速率的因素 ①主气体流速Um ∵ F1=hg(Cg-Cs)= Dg(Cg-Cs)/δs， ∴ hg=Dg/δs= ，以及 Re=ρUL/μ，U≤0.99Um，则 对扩散控制：G=（CThgY)/N1，故 结论：扩散控制的G与Um1/2与成正比 提高G的措施： a.降低δs：减小基座的长度L； b.增加Um：Um增大到一定值后，hg ks，转为反应控制， G饱和;;淀积速率与温度关系;6.2 CVD系统;CVD系统;6.2 CVD系统;6.2 CVD系统;6.2.3 CVD技术;APCVD系统;6.2.3 CVD技术;LPCVD系统;6.2.3 CVD技术;PECVD系统;6.3 CVD多晶硅;6.3.2 CVD多晶硅 工艺：LPCVD； 气体源：气态SiH4； 淀积过程： ①吸附：SiH4（g)→ SiH4（吸附) ②热分解： SiH4（吸附) = SiH2（吸附)+H2(g) SiH2（吸附) = Si（吸附)+H2（g) ③淀积： Si（吸附)= Si（固) ④脱吸、逸出： SiH2、H2脱离表面，逸出反应室。 总反应式： SiH4（吸附) = Si（固体)+2H2(g) ;特点： ①与Si及SiO2的接触性能更好； ②台阶覆盖性好。 缺点： SiH4易气相分解。 用途：欧姆接触、栅极、互连线等材料。 多晶硅掺杂 ①扩散：电阻率低；温度高； ②离子注入:电阻率是扩散的10倍； ③原位掺杂：淀积过程（模型）复杂； ;6.4 CVD二氧化硅;6.4 CVD二氧化硅;6.4 CVD二氧化硅;6.4 CVD二氧化硅;6.4 CVD二氧化硅;PSG回流;6.5 CVD Si3N4;6.5 CVD Si3N4;6.5 CVD Si3N4;6.5