5-3结型场效应管.pptVIP

N g(栅极) N沟道结型场效应管结构 基底 ：N型半导体 两边是P区 导电沟道 5.3 结型场效应管 P g(栅极) P沟道结型场效应管结构 基底 ：P型半导体 两边是N区 导电沟道 N g s d vDS vGS P＋ iD P＋ 正常工作条件 vDS为正值， vGS为负值。 一、NJFET工作原理 - + + - （2）vGS越负则耗尽区越宽，导电沟道越窄,电阻越大， iD越小。 vGS对沟道导电能力的影响 （1）当vGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。ds间相当于线性电阻。 NJFET工作原理 N g s d vDS P＋ iD P＋ - + + - vGS vGS对沟道导电能力的影响 （3） vGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，ds间被夹断，这时，即使vDS  0V，漏极电流iD=0A。 VP:夹断电压 两侧阻挡层相遇，沟道消失， iD＝0时的电压 NJFET工作原理 vDS对沟道导电能力的控制 N g s d vDS vGS iD - + + - 源极：反偏电压vGS最小沟道最宽 漏极： 反偏电压vGD＝vGS－ vDS最大，沟道最窄 （1） vGDVP即vDSvGS-VP时，导电沟道不均匀 vDS增大则被夹断区向下延伸。 N g s d vDS vGS iD - + + - P＋ P＋ NJFET工作原理 vDS对沟道导电能力的控制 （2） vGD=VP 即vDS=vGS-VP时，漏端的沟道被夹断，称为预夹断 （3）此时，电流iD由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随vDS的增加而增加，呈恒流特性。 iD/mA V DS/V 0 5 10 15 20 25 iD同时受vGS和vDS的控制 饱和区 击穿区 二、NJFET输出特性曲线 VP=-2V iD/mA vDS/V 0 5 10 15 20 25 -2 -1 0 1 2 V DS=10V 一定vDS下的iD-vGS曲线 IDSS 饱和漏极电流 夹断电压 NJFET转移特性曲线 VP=5V iD/mA －vDS/V 0 5 10 15 20 25 三、PJFET （输出特性） （转移特性） （符号） 1、结构 2、工作原理 3、转移特性 4、输出特性 结型场效应管－演示 一、偏置电路及静态分析 1、自偏压电路（用于耗尽型） 1）估算法 JFET放大电路分析（1） 2、分压式自偏压电路 对于增强型 VGS可正可负可零。 对于耗尽型 JFET放大电路分析（2） JFET放大电路分析（3） 二、动态分析 场效应管电路符号 NDMOS　 NEMOS　 NJFET　 PDMOS　 PEMOS　 PJFET　 箭头方向指向沟道，为NFET 沟道线是虚线，为增强型FET 沟道线是实线，为耗尽型FET 箭头由沟道指出，为PFET 增强型MOS 耗尽型MOS 结型 N沟道场效应管 VDS0 vGS0 vGS0,=0,0 vGS0 vGSVT或VP 放大：vDSvGS-VT(或VP) 增强型MOS 耗尽型MOS 结型 P沟道场效应管 vGS iD vGS0 vGS0,=0,0 vGS0 vDS0 vGSVT或VP 放大：vDS≤vGS-VT（或VP） 场效应管与三极管的比较 1、场效应管是电压控制器，而三极管是电流控制器件，场效应管输入电阻高， IGFET为1010—1015  ，JFET为108—1012  ，三极管输入电阻在若干千欧 以下。 2、场效应管只有多子参与导电，三极管多子、少子 都参与导电，少子易受温度、辐射等影响，所以 FET比三极管抗辐射能力强。 3、IGFET比三极管噪声低，JFET比IGFET还要低。 IGFET ：绝缘栅型场效应管（MOSFET概念上属于IGFET） 4、耗尽型IGFET的 vGS可正可负，有的场效应管 d 、s可以互换，所以FET的电路设计的灵活性更大。 5、FET的输入电压动态范围较大（可达几伏），三极管一般小于几百毫伏，但三极管的输出电压动态范围较大，因为它的饱和压降仅零点几伏，而FET上升区转入恒流区的转折点处的电压约有几伏的缘故。 6、MOSFET制造工艺简单，芯片面积很小，功耗很小，便于大规模集成。 场效应管的使用注意事项 1、电源极性按规定接入，注意不能超过极限 参数的规定数值。 2、对JFET要注意栅源电压极性不要接反，以免PN结正偏过流而烧坏管子。 3、MOSFET管的衬底和源极常连在一起，若需分开，则衬源电压使衬源的PN结反偏。 4、对于IG