贵州新华电脑学院第二章内存.pptVIP

第3章 内存;一 概述;3、动态内存DRAM的存储原理：每个内存单元是由  一个短暂存储电荷的电容器构成的，这电荷表示 内存单元所存储的信息，代表什么含义，如果电 容器所存储的电荷量超过一半，那表示值为1， 如所储电荷少于一半，或没电荷则电容器值为 0，电容器丢失电荷的速度非常快，因此DRAM 必须包括一个刷新电路，此电路能检查每一个内 存单元，然后需要时就刷新其中的电荷，以便其 值保持不变。 ;二 内存的分类;（一） ROM和RAM的区别 （二） DRAM的分类 ;（1）FPM RAM （快页内存） 流行于386时代，按页存储，每发送一次数  据占3个时钟，速度慢，都在60ns以上。 （2）EDO RAM（扩展数据输出内存 ） 流行于486和早期Pentium机器上，每传送  一次数据需两个时钟，速度已达到60ns，72 线或168线，32位总线，5v电压。 （3）SD RAM （同步动态随机存储器） 现在较流行的内存，其工作速度与系统总 线速度是同步的，它已成为当前的内存标准。  SDRAM按标准运行工作频率分为：PC66、 PC100和PC133等标准，其中66、100和133为 系统总线频率。168线，64位总线，3.3v电压。;（4）DDR SDRAM（双数据率同步动态随机存储） 现在最流行的内存。其特点：单个时钟周  期的上升沿和下降沿都传送数据，所以比相同 频率的SDRAM高一倍的速率。184线，2.5v电 压。 （5）RD RAM （Ram bus DRAM） Ram bus公司为电视游戏机提供的内存规 格，其内存口为16位，引脚为184线，其必须 成对安装，且插槽需插满（空余的可用阻隔板 或空模块）代替。;2、按用途分;三 内存的技术指标;4、内存的电压 指内存正常工作所用的电压。（早期内存 FPM ，EDO为5v，SDRAMY一般为3.3v， RDRAM和DDR均采用2.5v工作电压）。 5、CAS等待时间LC （CAS Latency） （1）CAS等待时间又称为CAS延迟时间，指 CAS信号需要经过多少个周期之后才能读写 数据, 即，纵向地址扫描脉冲的反应时间。  它是在一定频率下衡量支持不同规范内存的 重要标志之一。 （2）现在的SDRAM的CL为3或2，当然在 SDRAM制造的过程中，会把CL值写入其 中的EEPROM（SPD）芯片中，主板的  BIOS会自动 监测。;3）SPD为串行存在探测，8针，2KB，存储着 内存的容量，生产厂商，工作速度和是否存 在ECC校验等。 6、系统时钟循环周期（TCK） 即时钟周期，其代表SDRAM所能运行的最 大频率。内存时钟周期由外频决定，可简单定为 TCK=1/f，如：TC100的TCK为：1/100M=10ns 可计作：PC-10。 7、存取时间TAC 其代表读取数据所延迟的时间，数值越大， 数据输出的时间越长；一般要求在CL=3时， TAC不能大于6ns。 ;8、总延迟时间 公式：总延迟时间=系统时钟周期*CL+存取  时间。如，PC100存取时间为6ns，我们设定 CL=2，则总延迟时间为：10ns*2+6ns=26ns。 9、奇偶校验、非奇偶校验 （1）这是一种检查数据是否正确的方法（在写  入或读出时对比检查，一般以一个字节为 单位进行校验）。 （2）在奇偶校验中，如果1个字节中有奇数?? 1，则奇偶校验位为0，反之为1。 （3）根据是否存在奇偶校验位，可将DRAM分 成奇偶校验内存和非奇偶校验内存（有些 主板可以使用两种内存但不能混用）。;10、ECC（错误自动监测与更正） 其不但可以检查错误，还可以更正错误。 11、内存线数 （1）内存线