第七章光电传感器1028.pptVIP

传感技术与电子测量;第7章 光电检测技术;一、光谱 光 波：波长为10—106nm的电磁波 可见光：波长380—780nm 紫外线：波长10—380nm， 波长300—380nm称为近紫外线 波长200—300nm称为远紫外线 波长10—200nm称为极远紫外线 红外线：波长780—106nm 波长3μm（即3000nm）以下的称近红外线 波长超过3μm 的红外线称为远红外线。 ;远紫外;7.1 光电效应和光电器件;根据爱因斯坦假设，一个电子只能接受一个光子的能量，所以要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物，从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过10-9s。根据能量守恒定理 式中 m—电子质量；v0—电子逸出速度。 ;光电子能否??生，取决于光电子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功A0。不同的物质具有不同的逸出功，即每一个物体都有一个对应的光频阈值，称为红限频率或波长限。;内光电效应：在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。 常存在于高电阻率的半导体中。半导体的导电特性：;过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。; 光生伏特效应： 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。 ①势垒效应（结光电效应） 接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，便引起光电动势，这就是结光电效应。以PN结为例，光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。 光电池;②侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时，有载流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。当光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对时，光照部分载流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大，就出现了载流子浓度梯度，因而载流子就要扩散。如果电子迁移率比空穴大，那么空穴的扩散不明显，则电子向未被光照部分扩散，就造成光照射的部分带正电，未被光照射部分带负电，光照部分与未被光照部分产生光电动势。基于该效应的光电器件如半导体光电位置敏感器件（PSD）等。;1、 光电管;2 、光电倍增管;3、 光敏电阻;（2）、光敏电阻的主要参数;A、伏安特性 ; B、光照特性 ;C、光谱特性 ; D、响应时间和频率特性;光敏电阻的频率特性 ;E、温度特性 ;温度对光谱特性影响 ;应用电路; 例1：光控闪烁安全警示灯电路图如下图所示 。当接通电源后，220V经二极管VD1半波整流，通过R1向C充电，因充电电流很小，警示灯E不会被点亮。电容C上的电压取决R1和光敏电阻RL的分压值。白天，光敏电阻RL受自然光源的照射而呈现低阻值，电容C两端的充电电压超不过双向触发二极管VD2的转折电压。双向晶闸管VS因无触发而处于截止状态.警示灯E不亮。傍晚自然光变暗. 光敏电阻RL呈高阻值，电容C上的电压不断增高、当电压超过双向触发管VD2的转折电压时VD2导通,电容一定程度时,VD2重新截止,VS因失去触发电流在交流电过零时自动关断，警示灯E熄灭这之后，电容C又按上述过程反复充电、放电，使VS不断地截止与导通，控制着警示灯发出闪烁的亮光。;（1）、工作原理;光敏晶体管 ;A、光谱特性;B、伏安特性; C、光照特性 ; D、温度特性;E、频率响应;例2：光敏二极管GG的联结和伏安特性如图所示。若光敏二极管上的照度发生变化，L=（100+100·sinωt)lx，为使光敏二极管上有10V的电压变化，求所需的负载电阻RL和电源电压E。; 例3：光敏三极管红外检测器的电路如图所示。当红外遥控发射装置发出的红外光照射到光敏三极管VT1时，其内阻减小，驱动VT2导通，使发光二极管VD1随着入射光的节奏被点亮。由于发光二极管VD1的亮度取决于照射到光敏三极管VT1的红外光的强度，因此，根据发光二极管VD1的发光亮度，可以估计出红外发射装置上的电池是否还可以继续使用。;（3）、光敏三极管，光敏二极管的测试及判断;B 、光敏三极管的检测方法;C、使用注意事项;例