晶闸管特_作用.pptVIP

第一章 电力电子器件; ;（2）反向特性;(1) 开通过程 延迟时间td (0.5-1.5?s) 上升时间tr (0.5-3?s) 开通时间tgt以上两者之 和，tgt=td+ tr ;断态重复峰值电压UDRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。 反向重复峰值电压URRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 通态（峰值）电压UT ——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。 ;通态平均电流 IT(AV） ——在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 ——使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。 维持电流 IH ——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 擎住电流 IL ——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2-4倍。 浪涌电流ITSM ——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。; 除开通时间tgt和关断时间tq外，还有： 断态电压临界上升率du/dt ——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。 ——电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。 通态电流临界上升率di/dt ——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 ——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。; 有快速晶闸管和高频晶闸管。 开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。 由于工作频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。 ;2）双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor）;3)逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT）;4)光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）;1.6 典型全控型器件;常用的典型全控型器件;1.6.1 门极可关断晶闸管;①结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起; ②工作原理： 与普通晶闸管一样，可以用下图所示的双晶体管模型来分析。 ; GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：;导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅 ?关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流。 当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断; ③由上述分析我们可以得到以下结论：;通常 比 小得多，而 比 要长。门极负脉冲电流幅值越大， 越短。;⑶ GTO的主要参数;③最大可关断阳极电流;1.6.2 电力晶体管;与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。;在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流与基极电流之比为 ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。 当考虑到集电极和发射极间的漏电流时， 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。; ①静态特性 共发射极接法时的典型输出 特性：截止区、放大区和饱和 区。 在电力电子电路中GTR工作 在开关状态。 在开关过程中，即在截止区 和饱和区之间过渡时，要经过 放大区。;开通过程 延迟时间 和上升时间 ，二者之和为开通时间 。 加快开通过程的办法 。 关断过程 储存时间 和下降时间 ，二者之和为关断时间 。 加快关断速度的办法。; 前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff 。此外还有： ①最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿。 击穿电