第六章放大电路基础_3.pptVIP

例： 扩音系统;分析功放电路应注意的问题;(2) 电流、电压信号比较大，必须注意防止波形失真。;(4) 功率管要考虑散热和保护。; 射极输出器的输出电阻低，带负载能力强，但做功放不适合。为什么？解释如下：;Rb;若忽略晶体管的饱和压降和截止区，输出信号uo的峰值最大只能为：;放大电路的输出没有失真的工作方式称为甲类放大。;如何解决效率低的问题？;;无输出电容的互补对称功放电路 ( OCL电路); 由一对NPN、PNP特性相同的互补三极管组成，采用正、负双电源供电。种电路也称为OCL互补功率放大电路。;ic1;3. 分析计算;单个管子在半个周期内的管耗;电源提供的直流平均功率计算： ;效率为：; 为保证晶体功率管的安全和输出功率的要求，电源及输出功率管参数的选择原则如下：;(2)管子允许的最大电流ICM。;乙类放大的输入输出波形关系:;ui;电路的改进;克服交越失真的措施：;R1;uB1;D1;分析计算;单个管子在半个周期内的管耗;电源提供的直流平均功率计算： ;效率为：;D1;场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。;N;N;P; 在栅源间加负电压VGS ，令VDS =0 ①当VGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 ;②VDS↑→ID ↑ →靠近漏极处的 耗尽层加宽，沟道变 窄，呈楔形分布。; 结型场效应三极管的特性曲线;（2）转移特性曲线： ID=f（ VGS ）│VDS=常数;UDS=0V时;P;P;P;P;;;特性曲线;预夹断曲线; 结型场效应管的缺点：;MOS绝缘栅场效应管（N沟道）MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor ;G;(3) 工作原理及特性曲线;P;P;P;UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。;P;P;输出特性曲线;转移特性曲线;场效应管的主要参数; （4）输入电阻RGS 结型场效应管，RGS大于107Ω，MOS场效应管, RGS可达109～1015Ω。;增强型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;场效应管的交流小信号模型 ;压控电流源;很大， 可忽略。;(1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 ;直流偏置电路：保证管子工作在饱和区，输出信号不失真 ;分压式自偏压电路;场效应管的共源极放大电??;uo;s;（2）电压放大倍数;（4）输出电阻;源极输出器;uo;ri;输出电阻 ro;场效应管放大电路小结;BJT与FET基本放大电路的性能比较;输出电阻：;双极型和场效应型三极管的比较