11MOSFET基础[MOS结构CV特性].pptVIP

第十一章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础;11.1　双端ＭＯＳ结构 11.2　电容－电压特性 11.3　ＭＯＳＦＥＴ基本工作原理 11.4　频率限制特性 11.5　ＣＭＯＳ技术 11.6　小结;11.1 双端MOS结构;11.1 MOS电容 MOS电容结构;实际的铝线-氧化层-半导体（M:约10000A O:250A S:约0.5~1mm）;11.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(1);11.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(2);11.1 MOS电容 表面能带图:n型衬底(1);11.1 MOS电容 表面能带图:n型衬底(2);小节内容;11.1 MOS电容 空间电荷区厚度:表面耗尽情形;11.1 MOS电容 空间电荷区厚度:表面反型情形;11.1 MOS电容 空间电荷区厚度:n型衬底情形;11.1 MOS电容 空间电荷区厚度:与掺杂浓度的关系;小节内容;11.1 MOS电容 功函数差:MOS接触前的能带图;11.1 MOS电容 功函数差:MOS结构的能带图;11.1 MOS电容 功函数差:计算公式;11.1 MOS电容 功函数差:n＋掺杂多晶硅栅(P-Si);11.1 MOS电容 功函数差:p＋掺杂多晶硅栅(P-Si);11.1 MOS电容 功函数差:n型衬底情形;11.1 MOS电容 功函数差:与掺杂浓度的关系;11.1 MOS电容 平带电压:定义;11.1 MOS电容 平带电压:公式;小节内容;11.1 MOS电容阈值电压:公式;11.1 MOS电容 阈值电压:与掺杂/氧化层电荷的关系;11.1 MOS电容 阈值电压:导通类型;11.1 MOS电容 阈值电压:n型衬底情形;费米势;11.1 MOS电容 表面反型层电子密度与表面势的关系;11.1 MOS电容 表面空间电荷层电荷与表面势的关系;小节内容;11.2节内容;11.2 C-V特性什么是C-V特性？;11.2 C-V特性 堆积状态;11.2 C-V特性 平带状态;11.2 C-V特性 耗尽状态;11.2 C-V特性 强反型状态(低频);11.2 C-V特性 n型与p型的比较;11.2 C-V特性 反型状态(高频);小节内容;11.2 C-V特性 氧化层电荷的影响;11.2 C-V特性 界面陷阱的分类;11.2 C-V特性 界面陷阱的影响:堆积状态;禁带中央：界面陷阱不带电，对C-V曲线无影响;反型状态：界面陷阱带负电，C-V曲线右移，阈值电压更正。;*;小节内容