第三章逻辑门电路研讨.pptVIP

3 逻辑门电路;RTL（Resistor-Transistor Logic）电阻--晶体管逻辑； DTL（Diode-Transistor Logic）二极管--晶体管逻辑； HTL（High-Threshold Logic）高阈值逻辑； TTL（Transistor -Transistor Logic）晶体管--晶体管逻辑； ECL（Emitter Coupled Logic）发射极耦合逻辑； I2L（Integrated Injection Logic）集成注入逻辑(IIL)。 ;逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。;CMOS:功耗低,工作电压范围宽,抗干扰能力强，广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路;3.1.2 MOS管的开关特性 ;P型半导体;P;P;P;P;4. NMOS管的开关特性 ; MOS管用于数字电路时，一般工作于截止区和线性区， 用于放大电路时，一般工作于恒流区。;5. PMOS管的开关特性 ; 耗尽型MOS管的符号 (a) P沟道 (b) N沟道;3.1.3 CMOS反相器;Vi=0;(a)原理图;;3。工作速度;3.1.4 CMOS门电路;2. CMOS或非门;A、B全为1时，L＝0;;4.输入保护电路和缓冲电路;3.1.5 CMOS漏极开路门和三态输出门;1。CMOS漏极开路门（Open Drain-OD门）;几个OD门输出端相连时，可以共用一个电阻和电源;最不利的情况： 只有一个 OD门导通，;当VO=VOH;2. CMOS三态门(TSL---Tristate logic) ;3.1.6 CMOS传输门(双向模拟开关) ;2、CMOS传输门电路的工作原理 ; ;传输门组成的数据选择器;3.1.7 NMOS逻辑门电路 ;2. NMOS门电路;3.1.8 逻辑门电路的一般特性及主要参数;VNH —当前级门输出高电平的最小 值时允许负向噪声电压的最大值。;类型 参数;4. 功耗;（a)带拉电流负载; CMOS反相器在输入信号的高、低电平作用下，总有一个管子处于截止状态，其工作电流非常小，接近于管子的漏电流，所以静态功耗极小。同时，总有一个管子处于饱和导通状态，为负载电容CL提供了低电阻的充放电回路。因此，工作速度高。 ;3.2.1 晶体二极管的开关特性 ;晶体二极管动态开关特性 ;3.2.2 双极型晶体三极管(BJT)的开关特性 ;三极管的截止状态;三极管开关的过渡过程（动态特性） ;3.2.3 基本逻辑门电路 ;2.三极管非门 ;R1;输出级：T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。;输入为低电平（0.3V）时;“0”;输入为高电平（3.6V）时;饱和;3 ）采用输入级以提高工作速度 ;4）采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力;1. TTL与非门电路;TTL与非门电路的工作原理 ;2. TTL或非门 ;vOH;a） 集电极开路与非门电路;2. 三态与非门(TSL ) ;2. 三态与非门(TSL ) ;打印机;各种三态门的逻辑符号;三态门和OC门的性能比较;特点:功耗低、速度快、驱动力强;3.2.7 改进型TTL门电路——抗饱和TTL门电路; 由肖特基三极管组成的门电路称做肖特基TTL门，即STTL门，它的tpd 在10 ns以内。除典型的肖特基型（即STTL型）外，还有低功耗肖特基型（LSTTL）、先进的肖特基型（ASTTL）、先进的低功耗型（ALSTTL）等，它们的技术参数各有特点，是在TTL工艺的发展过程中逐步形成的。;3.5.1 正负逻辑问题;3.5.2 基本逻辑门电路的等效符号及其应用;;1)驱动器件的输出电压必须处在负载器件所要求的输入电压范围，包括高、低电压值（属于电压兼容性的问题）。;1、 CMOS门驱动TTL门;例 用一个74HC00与非门电路驱动一个74系列TTL反相器和六个74LS系列逻辑门电路。试验算此时的CMOS门电路是否过载？;总的输入电流 IIL(total)=1.6mA+6?0.4mA=4mA;CMOS电源电压较高时，不能直接驱动TTL，可采用电平转换器。;2. TTL门驱动CMOS门(如74HC ）;普通TTL可采用电平转换器;1. 用门电路直接驱动显示器件;解：LED正常发光需要几mA的电流，并且导通时的压降VF为1.6V。根据附录A查得，当VCC=5V时，VOL=0.1V，IOL(max)=4mA， 因此ID取值不能超过4mA。限流电阻的最小值为;2. 机电性负载接口; 大电流负载通常对输入电平的要求很宽松，但要求有足够大的驱动电流。最常见的大电流负载有继电器、脉冲变压器、显示器、指示灯