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第二章 材料的电学性能;导电性;;元素周期表;;;;ⅠA族，碱金属，外壳层价电子数为1，其价电子在外加电场作用下由价带跃迁到导带，形成电流。因此只有那些电子未填满能带的材料才有导电性。;ⅠA族，外壳层价电子数为1;贵金属，d壳层填满、与原子核有强交互作用，使s壳层电子与核作用大大减弱，其价电子在外加电场作用下进入导带，导电性极好。;d壳层填满，与原子和有强交互作用，使s壳层电子与核作用大大减弱，其价电子在外加电场作用下进入导带，导电性极好。;ⅡA族，外壳层价电子数为2。Mg的3p能带与3s能带重叠，3s上的电子可跃迁到3p能带上，也有较好的导电性。 ;ⅡA族，外壳层价电子数为2 ⅢA族，外壳层价电子数为3 ;d壳层电子逐渐填满－过渡金属。Fe原子形成晶体时4s能带与3d能带重叠。由于价电子核内层电子有强的交互作用，铁的导电性稍差。 ;d壳层电子逐渐填满－过渡金属;金属的导电理论; ;影响导电性的因素;合金的导电性;马基申定律;低浓度下溶质原子引起的残余电阻与温度无关，固溶体的电阻温度系数低于纯金属，而固溶体电阻率随温度变化的斜率与纯金属相同。 高浓度下， 和 均随温度变化。 含有过渡金属元素时（如加入Mn），可能出现 锰铜精密电阻合金，具有低的电阻温度系数。 ;有序固溶体的导电性;不均匀固溶体（K状态）的电阻;;铝合金在180℃时效5秒钟，铜原子的偏聚;金属化合物的导电性;;多相合金的导电性;两相片状组织;导电性的测量;1、工作电流标准化（K到N） 2、求待测电动势（K到X）;电阻分析的应用;Al-Cu合金时效步骤： 1、加热到α单相区固溶 2、淬水，得到过饱和α固溶体 3、在室温或加热时效：;铝合金在180℃时效5秒钟，铜原子的偏聚;25℃时效产生的GP区在215℃保温时又溶回到基体中，形成均匀固溶体，电阻下降。;合金的有序－无序转变 （有序结构电阻率低）;测量方法： 1、将不同成分的试样加热到略低于共晶（共析）转变温度t0，保温足够的时间，然后淬火得到过饱和固溶体。 2、把淬火试样加热到低于t0的各个温度保温，使组织达到平衡。 3、然后再淬火到室温测量电阻率，作出ρ-B％曲线。 4、找出转折点对应的浓度，即为各温度下B在A中的溶解度。;淬火钢的回火 1、110℃马氏体分解，正方度下降，电阻率降低。含C量越高，马氏体脱溶分解（电阻率下降）越急剧。 2、230℃残余奥氏体分解，基体C含量减少，电阻率下降。;材料的疲劳过程 缺陷密度增高、裂纹的形成，使试样电阻增加。;半导体的电学性能; 由于电子能否由价带跃迁到空的导带中，主要取决于能隙的大小。C、Si、Ge、Sn的能隙分别为5.4eV、1.1eV、0.67eV和0.08eV。可以算得室温（27℃）下上述元素中进入导带的电子几率分别为1.2x10-47、2.5x10-10、1.5x10-6和0.17。故金刚石为绝缘体，锡可算作导体，而硅、锗即为半导体。;本征半导体－纯净的无结构缺陷半导体单晶，如单晶Si。 半导体受到热激发，满带中的部分价电子跃迁到空带中，形成自由电子和空穴。两者成对出现。 无外电场作用，自由电子和空穴运动无规则，不产生电流。 加外电场，电子逆电场方向运动，空穴顺电场方向运动，形成电流。故自由电子和空穴统称为载流子。;本征半导体的电学性能;掺杂半导体;N型半导体 在本征半导体中掺入五价元素杂质（P、As、Sb等，形成多余价电子。该多余价电子能量状态较高，在常温下能进入导带，使自由电子浓度极大提高。 五价元素称为施主杂质（提供多余电子） N型半导体（电子型半导体）中，自由电子的浓度大，称为多数载流子，简称多子。电流由自由电子产生。 本征激发产生的空穴被自由电子复合，故空穴的数量少，称为少子。;N型半导体电导率随温度的变化;P型半导体 在本征半导体中掺入三价元素杂质（B、Al、Ga、In，形成高浓度空穴。在常温下价带中的价电子能进入三价元素的空穴，而在价带在产生空穴。 三价元素称为受主杂质（能接受价电子）。 P型半导体（空穴型半导体）中，空穴的浓度大，称为多数载流子，简称多子。电流由空穴产生。 本征激发产生的自由电子被空穴复合，故自由电子的数量少，称为少子。 ;PN结的产生及特性;PN结的单向导电性 外加正向电压， PN区内建电位差减小，空穴和自由电子的扩散和漂移的平衡被打破，扩散大于漂移，产生P指向N的正向电流。U越大，电流越大。 外加反向电压， PN区内建电位差增大，扩散小于漂移，以致与停止。但产生N指向P的反向电流。由于是少子产生，故电流极小。 上述机制形成了PN结的单向导电性。这是构成半导体二极管和三极管的基础。;超导电性;超导体的特性 1、完全导电性