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半导体制造技术西安交通大学微电子技术教研室 第 16 章 器件技术;目 标;引 言;印刷电路板上的元件;电路类型;数字电路 数字电路在两种性质不同的电平信号－－高电平和低电平下工作。逻辑高电平用二进制数字1表示，逻辑低电平用二进制0表示。数字电路与计算机和计算器等逻辑器件有关。其他数字逻辑器件包括：时钟、手柄式电脑游戏以及条形码阅读器。数字器件可用于测量并控制事件结果：要求既有开/关型命令，又能受模拟线性电路分立增量变化的控制。这也正是今天区别模拟器件和数字器件如此困难的原因所在。高低电平准确数值取决于特别的器件技术。下面是两个逻辑电平的例子： 逻辑类型 高电平＝1 低电平＝0 TTL 5 VDC 0.0 VDC CMOS 3.5VDC 0.0 VDC ;???源元件结构;Examples of Resistor Structures in ICs ;寄生电阻结构;Cross Section of Parasitic Resistances in a Transistor;集成电路电容结构;集成电路中电容结构示例;晶体管中寄生电容器示例;有源元件结构;p- Substrate;Open-Circuit Condition of a pn Junction Diode;p;Forward-Biased PN Junction Diode;Forward and Reverse Electrical Characteristics of a Silicon Diode;Two Types of Bipolar Transistors;NPN Transistor Biasing Circuit ;PNP transistor biasing circuit;Cross Section of an NPN BJT;肖特级二极管;Schematic Symbol and Structural Cross Section of the Schottky Diode;双极逻辑的种类;CMOS IC Technology;CMOS 集成电路技术;场效应晶体管的最大优势是它的低电压和低功耗。它的开启是输入电压加到栅上产生的电场的结果－－因此称为场效应晶体管。 FET 在线性/模拟电路中作为放大器以及在数字电路中作为开关元件使用。它的高输入阻抗和适中的放大特性使其成为一种卓越的器件被广泛应用。它的低功耗和可压缩性使其极适用于一直在缩小尺寸的 ULSI工艺。 FET 有两种基本类型：结型（JFET）和金属－氧化物型（MOSFET）半导体。区别在于MOSFET作为场效应晶体管输入端的栅极由一层薄介质（SiO2）与其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。;nMOSFET (n-channel);VDD = + 3.0 V;NMOS Transistor in Conduction Mode;Example of Characteristics Curves of an N-channel MOSFET;VDD = -3.0 V;IDS;COMS技术;S;CMOS反相器;pMOSFET;-VSS;BiCOMS;BiCMOS Chips used in the Control of a Simple Heating System;CMOS section;Comparison of Enhancement and Depletion Mode MOSFETs;COMS器件的闩锁效应;T1;阻止闩锁效应的制作技术;Integrated Circuit Products;数字集成电路产品类型;DRAM 动态存储器，是最普通和成本最低的 RAM。术语“动态”是指存储电容器必须有规律地使用更新电压以保留数据。DRAM需要更高的电能运行电容器。 SRAM 静态存储器，它是使用触发器作为存储寄存器。SRAM不需要更新，因此它比DRAM需要的电能低。数据在电源移开时同时消失。 MPU或CPU 微处理单元（也称中央处理单元）是对单独或内部的ROM发出指令程序的复查逻辑集成电路。MPU能判定并执行数学功能。可用在任何需要控制功能或者计算功能的应用中。;数字集成电路产品类型;PROM 可编程只读存储器。是一种能现场编程而且比掩膜可编程ROM便宜的集成电路。使用工具应用大电压脉冲以使内存单元按需要改变。在计算机正常工作时编入内存的数据不能改变。有两种