第3章P型半导体和N型半导体接触.pptVIP

第三章 PN结;热平衡状态下的p-n结 耗尽区 耗尽层势垒电容 电流-电压特性 电荷储存与暂态响应 结击穿 异质结 ;p-n结(junction)： 由p型半导体和n型半导体接触形成的结．; p-n结形成之前，p型和n型半导体材料是彼此分离的，其费米能级在p型材料中接近价带边缘，而在n型材料中则接近导带边缘．p型材料包含大浓度的空穴而仅有少量电子，但是n型材料刚好相反。 ;费米能级的相关性 在热平衡条件下，一个系统中的费米能级总是保持为一个相等的常数。 考虑两个特定的材料系统，热平衡状态下分别具有各自的费米能级，当二者紧密接触之后，统一后的整个系统中，电子将首先填充最低的能态，因此电子将从费米能级高的材料中流向费米能级低的材料，直到二者具有统一的费米能级。这个过程如图所示。; 当p型和n型半导体紧密结合时，由于在结上载流子存在大的浓度梯度，载流子会扩散．在p侧的空穴扩散进入n侧，而n侧的电子扩散进入p侧．; 对个别的带电载流子而言，电场的方向和扩散电流的方向相反．图下方显示，空穴扩散电流由左至右流动，而空穴漂移电流因为电场的关系由右至左移动．电子扩散电流由右至左流动，而电子漂移电流移动的方向刚好相反．应注意由于带负电之故，电子由右至左扩散，恰与电流方向相反。 ;平衡费米能级(equilibrium Fermi levels) ：;将上式，即;内建电势(built-in protential)Vbi ：;p型中性区相对于费米能级的静电电势，在图中标示为ψp。对于p型中性区，假设ND=0和pn，可以由设定ND=n=0及将结果p=NA代入式;在热平衡时，p型和n型中性区的总静电势差即为内建电势Vbi; 由中性区移动到结，会遇到一窄小的过渡区，如左图所示．这些掺杂离子的空间电荷部分被移动载流子补偿．越过了过渡区域，进入移动载流子浓度为零的完全耗尽区，这个区域称为耗尽区(空间电荷区)．对于一般硅和砷化镓的p-n结，其过渡区的宽度远比耗尽区的宽度要小．因此可以忽略过渡区，而以长方形分布来表示耗尽区，如右图所示，其中xp和xn分别代表p型和n型在完全耗尽区的宽度。;在p=n=0时．式;例1:计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其NA＝1018cm-3和ND＝1015cm-3． ?;突变结：如图，突变结是浅扩散或低能离子注入形成的p-n结．结的杂质分布可以用掺杂浓度在n型和p型区之间突然变换来近似表示．;半导体的总电荷中性要求p侧每单位面积总负空间电荷必须精确地和n侧每单位面积总正空间电荷相同： ;其中Em是存在x＝0处的最大电场;;;;;;－非平衡p-n结的能带图 －电压完全降在势垒区;无限厚样品的稳态扩散解;－反向偏压下的非平衡少子;半导体内少数载流子的微分方程式为 ;;;前提： －小注入 －突变耗尽层条件 （耗尽层外电中性） －忽略势垒区中载流子的产生、复合 －非简并;;;; 对于深扩散或高能离子注入的p-n结，杂质浓度分布可以被近似成线性缓变结，亦即浓度分布在结区呈线性变化．这样的p-n结称为线性缓变结，如图． ; 热平衡的状态下，线性缓变结耗尽区的杂质分布如图(a)所示．泊松方程式在此为 ;在x=0处的最大电场为 ; 因为在耗尽区边缘(-W/2和W/2)的杂质浓度一样，且都等于aW/2，所以根据, ; 当正向偏压或反向偏压施加在线性缓变结时，耗尽区的宽度变化和能带图会和突变结相似．;例3：对于一浓度梯度为1020cm-4的硅线性缓变结，耗尽区宽度为0.5?m。计算最大电场和内建电势(T＝300K)． ;单位面积耗尽层势??电容定义为:;在图(b)中，耗尽区两侧电荷分布曲线的上色部分表示电荷增量．n侧或p侧的空间电荷增量相等，而其电荷极性相反，因此总体电荷仍然维持中性．电荷增量造成电场增加，;;;可得到在零偏压时 ;;;;;;;;得到 ; 在许多应用中，通常用等效电路表示p-n结．除了扩散电容和势垒电容外，我们必须加入电导来考虑电流流经器件的情形．在理想二极管中，电导可由式;;