微电子制造技术_第十七章.ppt

微电子制造技术第 17 章 掺 杂;概 述;本章重点;表17.1 半导体制造常用杂质; 掺杂在芯片制造中的应用;表17.2 CMOS 制作中的一般掺杂工艺;掺 杂 区;氧化硅;扩 散;扩散的概念;在间隙位置被 转移的硅原子;固态扩散的目的;Table 17.3 1100°C 下硅中的固溶度极限;扩 散 工 艺;表17.4 扩散常用杂质源;;扩散层中杂质原子的浓度分布;预淀积（恒定表面源扩散）;影响扩散层参数（结深、浓度等）的几个因素： 杂质的扩散系数 杂质在晶园中的最大固溶度;再分布（有限源扩散）;通常情况下，再分布和氧化同时进行。在此过程中杂质的推进使结深、表面浓度、扩散层薄层电阻达到设计要求的同时，在扩散层表面同时形成一定厚度的氧化层。;薄层（方块）电阻;四探针测量薄层电阻;;练习题： 制造一个NPN晶体管，首先在1100℃下进行硼(B)预淀积扩散，扩散时间20分钟，然后在1100℃下做推进(再分布)扩散。假若推进扩散的时间是30分钟，试求推进后的结深应为多少？推进后表面浓度是多少？假设衬底浓度为1015cm-3，(已知1100℃时硼在硅中的最大固溶度是5×1020/cm3，扩散系数D=5×10-12cm2/S);离 子 注 入;控制杂质浓度和深度;4. 产生单一粒子束； 5. 低温工艺； 6. 注入的离子能穿过掩蔽膜； 无固溶度极限。 缺点是高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。所幸的是大多数甚至所有的晶体损伤都能用高温退火进行修复。另一个缺点是注入设备的复查性，然而，这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性所弥补。;离子注入参数;射程：是指离子注入过程中，离子穿入硅片内总的距离。射程与注入离子的能量有关。而离子的能量又是从加速电势差中获得的。离子注入中的能量一般用电子电荷与电势差的乘积，即电子伏特（ev）来表示。 例如，如果一个带正电荷的离子在电势差为100KV的电场中运动，它的能量就是： KE=nv=1*100KV=100keV 注入离子的能量越高，意味着杂质原子穿入硅片的深度越大，即射程就越大。而射程和结深相关，所以控制射程就意味着控制结深。高能注入机的能量可达到 2～3MeV，低能量注入机的能量目前已经下降到约200eV，能够掺杂非常浅的源漏区。;人射粒子束;注入能量 (keV);投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴);投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴); 入射离子的能量损失模型;Si;轻离子冲击;入射粒子在硅片中的分布;由此解得峰值浓度 ;离子注入机;离子注入机示意图;离子源;Figure 17.11 离子源和吸极装配图;前板;吸极和离子分析器;+++++++;质量分析器磁铁; 从离子源引出的离子可能包含许多不同种类的离子，他们在吸极电压的加速下，以很高的速度运动，因为不同离子有着不同的原子质量单位，而磁性离子分析器能将所需要的离子从混合的粒子束中分离出来，如图17.14所示。 分析器磁体形成的90度角能使离子的轨迹偏转成弧形。对于一定的磁场强渡，重离子不能偏转到合适的角度，而轻离子的偏转过大。只有一种离子能够发生恰当的偏转，顺利地通过分析器磁铁的中心，这就是最终注入到硅片中的杂质。 离子弧形轨迹半径由离子的质量、速度、磁场强渡和离子所带的电荷共同决定。通过将磁场强渡调整到与杂质离子的轨迹匹配，期望得到的杂质就能通过分析器末端的窄缝，而其它离子则被阻挡。;加速管;100 MW;临近 吸收;源;扫描系统;+ Ion beam; 由于在静电扫描过程中硅片是固定的，颗粒污染的机会会明显降低。这种扫描的另一优点是电子和中性离子不会发生偏转，能够从束流中消除。主要缺点是粒子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍粒子束的注入，如图17.21所示。 ;扫描外半径;工艺腔;VIISion;带硅片的 扫描盘;离子注入机的分类;退 火;修复硅晶格结构 并激活杂质－硅键; 沟道效应 在非晶靶中，原子的排列是无规则的，入射离子在靶中受到的碰撞过程是随机的。而对于单晶靶，因为靶中原子是按一定规律周期性地重复排列而成为晶格点阵，具有一定的对称性和各向异性。因此，靶对入射离子的阻止作用将不是各向同性，而是与靶晶体的取向有关。 以硅为例，若从 110晶向看去，可以看到由原子包围成的一系列平行管道（见图17.28)。因此当入射离子沿此方向进入沟道时，就会在沟道中前进成为一种有规则的运动，这种运动称为沟道运动。显然，在这种情况下，来自靶原子的阻止作用