用MOCVD生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析.doc

·xxx· 稀有金属材料与工程 xx卷 第x期 稀有金属材料与工程杂志社等：《稀有金属材料与工程》写作及排版规范 ·xxx· 第34卷第12期 稀有金属材料与工程 Vol.34, No.12 2005年12月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING December 2005 _______________________________ 收到初稿日期：2004-11-31；收到修改稿日期：2005-03-13 基金项目：国家自然科学基金专项研究课题；国家自然科学基金；教育部科学技术研究重点项目(105099)； 中科院半导体所半导体材料科学重点实验室开放课题；厦门大学启动经费(XK0012) 作者简介：孟焘，男，1981年生，在读硕士，厦门大学物理系，师承朱贤方教授，从事纳米材料的研究，e-mail:mtao@ *本文通讯联系人：朱贤方，教授，厦门大学物理系，低维纳米结构实验室，361005，e-mail:  HYPERLINK mailto:zhux@ zhux@，Tel:0592-2180436 用MOCVD生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析 孟焘1,2 朱贤方1,2 王占国2 （1厦门大学物理系 低维纳米结构实验室 福建 厦门 361005） （2中科院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室 北京100083） 摘 要: 近年来，GaN基相关材料的量子点生长成为半导体材料研究的一个热点，尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例，因此相关的文献较多，但综述性文章却不多见。鉴于此，本文综述了用MOCVD制备GaN基量子点的不同实验方法，并对影响量子点生长的实验条件和参数做了简要的分析，希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考。 关键词: GaN基量子点；自组装（self-assembly）；S-K模式；MOCVD 中图法分类号：TN304.23 文献标识码：A 文章编号：1002-185X(2005)12-1849-05 1 引言 众所周知，目前半导体量子点的自组装生长主要通过S-K（Stranski-Krastanov）模式实现[1-5]，这种方式一般发生在二维生长后膜内出现应力的场合，其生长过程大体可以分为以下三个步骤：（a）在量子点形成的初期阶段的二维层状生长。此时由于生长材料的晶格应变能较小，因此将形成具有最小表面自由能的二维平坦表面。（b）此后外延层厚度将逐渐增加，直到某一临界厚度仍然保持表面较为平整。这时虽然晶格应变能在不断增加，但包含表面自由能在内的整个体系的能量在平坦表面上应是最小的。（c）当膜层厚度超过某一临界尺寸，即完成所谓的一个浸润层的生长之后，部分表面将出现岛状生长。此时岛状结构中的晶格应变能开始减少，同时整个体系的能量降低。 而在实际的生长过程中，包括表面能和应力的大小往往也可以通过人为的方式（比如加入反表面活性剂[6-8]或采用温度控制[9]等）进行控制和调节，以适应不同材料生长的需要，但只要是由应力（应变能）的累积而导致外延材料由二维层状生长转向三维岛状生长的情况，我们都将其归为S-K生长模式。读者在文章中会发现，在以往的大量实验研究中，这种通过人为控制表面能和应力大小而形成量子点的方法占了相当的比例。 鉴于MOCVD是目前生长自组装量子点的主要方法，所以本文将只介绍MOCVD方法。 2不同实验方法及其分析 S-K模式生长的GaN基量子点在不同实验条件和参数下会表现出不同的生长特性，其中材料的表面能大小，材料间的晶格失配，环境温度和生长时间等参数都会在很大程度上决定生成的量子点的尺寸和密度，下面就不同的实验条件和参数结合具体实验进行分析。 2.1使用反表面活性剂的生长方法 在外延材料和衬底材料晶格常数相差很小的情况下（这时两种材料间的应力很小），如果衬底的表面能远大于外延材料的表面能，那么外延层将以二维的层状方式生长，这主要是由于材料间应变能较小而难于使其转向三维岛状生长。这时如果采用一些人为的方法降低衬底的表面能，如加入反表面活性剂（常用Si）来降低衬底的表面能