外部存储器接口（EMIF）.PDF

PSoC? Creator? 组件数据手册 外部存储器接口 (EMIF) 1.0 特性 . 8 位、16 位、24 位地址总线宽 度 . 8 位、16 位数据总线宽度 . 支持外部同步存储器 . 支持外部异步存储器 . 支持存储器自定义接口 . 支持外部存储器速度变化范围 (5-200 ns) . 支持外部存储器断电、睡眠和唤醒模式 概述 EMIF 组件可以通过 CPU 或 DMA 访问 PSoC 3 外部存储器 IC。它简化了 EMIF 硬件及 UDB 和 GPIO 的所需设置。EMIF 可以控制同步或异步存储器，无需在同步和异步模式下配置任何 UDB。 在 UDB 模式下，必须配置 UDB，用来生成外部控制信号。 使用 EMIF 时 EMIF 用于扩展可用存储器空间。这支持在片下存储器器件中扩展数据存储。外部存储器 IC 连接 至 PSoC 3，通常旨在保存大量数据阵列，例如，文本、音频或视频内容。其他预期应用包括数据 记录，这些应用可用作外部 LCD 像素数据的缓冲区 Cypress Semiconductor Corporation ? 198 Champion Court ? San Jose, CA 95134-1709 ? 408-943-2600 Document Number: 001-79228 Rev. ** Revised: May 14, 2012 外部存储器接口 (EMIF) PSoC? Creator?组件数据手册 输入/输出连接 本节介绍 EMIF 的各种输入和输出连接。I/O 列表中的星号 (*) 表示该 I/O 是可隐藏 I/O，其隐藏条 件在该 I/O 的说明中。 udb_ready — 输入* 外部逻辑信号向 PHUB 指示 AHB 总线数据操作已完成（高电平有效）。将 External Memory Type（外部存储器类型）参数设置为 Custom（自定义）时，此输入可见。 xmem_wr — 输出* 自定义接口的通用写入信号（高电平有效）。外部逻辑信号向 PHUB 指示 AHB 总线数据操作已 完成（高电平有效）。将 External Memory Type（外部存储器类型）参数设置为 Custom（自 定义）时，此输入可见。 xmem_rd — 输出* 自定义接口的通用读取信号（高电平有效）。将 External Memory Type（外部存储器类型）参 数设置为 Custom（自定义）时，此输入可见。 cen — 输出* 外部存储器芯片使能（低电平有效）。将 External Memory Type（外部存储器类型）参数设置 为 Synchronous（同步）或 Asynchronous（异步）时，此输出可见。 wen — 输出* 外部存储器写使能（低电平有效）。将 External Memory Type（外部存储器类型）参数设置为 Synchronous（同步）或 Asynchronous（异步）时，此输出可见。 oen — 输出* 外部存储器输出使能（低电平有效）。将 External Memory Type（外部存储器类型）参数设置 为 Synchronous（同步）或 Asynchronous（异步）时，此输出可见。 mem_clk — 输出* 用于外部同步存储器的时钟。将 External Memory Type（外部存储器类型）参数设置为 Synchronous（同步）时，此输出可见。