晶圆键合在高性能MEMS、功率器件和射频器件中的应用.PDF

封面故事 COVER STORY 键合 晶圆键合在高性能MEMS、 功率器件和射频器件中的应用 聚焦MEMS，探讨晶圆键合近期的应用趋势和未来的发展方向 有器件和产品都是按照下述标 关内容进行阐释，回顾晶圆键合工艺 用更简单和成本更低的方式进行包 准进行不同程度的评估的 ：1） 近期的应用趋势，并对未来的发展方 装。阳极键合和玻璃浆料键合是在 所可靠有保障的供应能力， ）冷 上最先应用的键合工艺技术， 2 向提出预测。 MEMS 却要求，3）成本，4）集成性，5） 过去的二十年，博世集团（Bosch） 实践证明其效果显著。然而，它们的 使用性，6）性能，7）功率要求，8） 研发的深反应离子刻蚀工艺（DRIE） 前景也面临着挑战，采用这些键合工 可靠性，9）尺寸，和 10）重量。过 及对准晶圆键合技术的发展极大地促 艺并没有给 MEMS 产品和工艺带来 去十年，这些因素中的一些获得了重 进了 MEMS 的市场增长。众所周知， 多少创新和发展。 要发展，同时带动 MEMS 器件取得 大部分 MEMS 器件拥有极其细小的、 阳极键合需要纳离子或其他碱 了爆炸性的增长。MEMS 制造业依靠 需要被保护以免遭外在环境影响的活 离子才能发挥作用，但这会带来几 最近五十年颇有发展的图像化、沉积 动元件。起初，MEMS 器件只能在晶 个问题。首先，在键合过程中钠离 和蚀刻工艺技术，实现了搭载最新的 圆级芯片特殊封装中得以实现，成本 子被推向晶圆表面，并在键合工具 对准晶圆键合技术和深反应离子刻蚀 较为高昂。而采用晶圆级封顶（Wafer- 上积聚，键合工具因而需要定期清 工艺（DRIE）的集成电路（IC）的 level capping）的 MEMS 器件，只需 理。其次，MEMS 和 CMOS 通过阳 生产制造。本文将主要对 MEMS、射 通过一次操作即可完成晶圆封装，这 极键合工艺进行结合，钠离子会阻 频器件和功率器件晶圆键合工艺的有 些封顶的 MEMS 器件在之后可以使 止该键合过程，导致 CMOS 电路故 障。几乎所有的 MEMS 设备都需要 键合线和芯片面积所占晶圆表面百分比 CMOS 专用集成电路来处理 MEMS 输出信号。过去，这一