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第一章 电路和电路元件 上海;§1.4 电子器;半导体器件具有体积小、重量轻、;半导体器件具有体积小、重量轻、;1.4.1 　半导体物理基础知;1.4.1 　半导体的导电特性;A、纯B、单晶 只有一种元素，;硅和锗的共价键结构共价键共用电;辐射方法 加热 本征;几个概念（1）本征激发：当本征;（5）漂移电流： 自由;本征半导体的导电机理： ;结论 一般来说： ;在半导体中存在两种载流子（运动;当本征激发和复合处于平衡时，本;杂质半导体：掺杂后的半导体，包;§1.4 　电子器件 杂质半导;结论 不论P型或N型半导体，;注意： 在今后的分析中，我们;本节小结 1、半导体的导电能;思考题：1. 电子导电与空穴导;P型半导体和N型半导体有机地结;开始时，扩散运动占优势，随着扩;几个重要概念： ① 扩散;③ 空间电荷区 —— 在PN;PN结内部载流子的运动过程如下;｛扩散↑ ID=IT ;使P区电位高于N区电位的接法，;理论分析证明，流过PN结的电流;由式可知，加正向电压时，u只要;UI死区电压 硅管0.6V,锗;一、PN结的击穿特性 ;二、PN结的电容特性 ;(1–5) 式;同理，在N区一侧，非平衡空穴的;式中：τn为P区非平衡电子的平;三、 PN结的温度特性 ;结论PN 结具有单向导电性： ;PN 结的伏安特性反向饱和电流;晶体二极管是由PN结加上电极引;§1.4 　电子器件 　　　§;普通二极管的典型伏安特性曲线如;§1.4 　电子器件 　　　§;下面介绍晶体二极管的主要参数及;二、交流电阻rD ;可见rD与工作电流IDQ成反比;0 U D u I D D u;三、最大整流电流IF ;§1.4 　电子器件 　　　§;*;稳压二极管是利用PN结反向击穿;二、稳压二极管的主要参数 1.;3.稳压电流IZ 　　IZ是;三、稳压二极管稳压电路 ;下面来说明限流电阻R的选择方法;使用稳压二极管要注意：1、稳压;§1.4 　电子器件 负载电阻;§1.4 　电子器件 　　　§;二极管的最重要的应用是作为“开;一、二极管整流电路 ;t t u o 0 u i 0;二、二极管限幅电路 ;一个简单的上限幅电路如图1–1;三、二极管电平选择电路 ;V 1 u 1 ＋ － u o;例．试判断图中二极管是导通还是;一、变容二极管 ;二、 肖特基二极管 ;三、 ???电二极管 ;1．N型半导体和P型半导体是本;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;（1）因为发射结正偏，所以发射;（3）因为集电结反偏，收集扩散;2．电流分配关系三个电极上的电;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 (1) ;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 截止放大;例：测量三极管三个电极对地电位;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;§1.4 　电子器件 　　　§;*半导体三极管的型号第二位：A;1：EMITTER 2： B;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;§1.4 　电子器件 §1.4;郁金香*