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电容器: 存储电荷的器件。
单位：法拉（F）
片上电容在fF - pF量级;滤波
隔直流通交流;二、MOS集成电路中的电容器;1、MIM电容;;;4 叠层电容器 MOM
利用metal1或第二层多晶硅覆盖在第一层多晶硅之上形成第三层极板，增大电容值。
;理想平板电容器的电场线是直线，但实际情况下，在靠近边缘地方的会发生弯曲，越靠近边缘，弯曲越严重。称为极板边缘效应。
极板边缘处的电场分布不均匀，造成电容的边缘效应，这相当于在电容里并联了一个附加电容。;由于集成电路中电容器上下极板交错分布，面积不等，极板边缘效应更加明显
为了减小边缘电容的影响，版图设计中尽量不拆分电容;交叠电容
边缘电容;V=LΔI/Δt
集成电路中电感只有几个nH，低于100MHz，没什么用处，低频模拟电路不使用电感，用于GHz的射频电路中。
键合线电感直径25um，长度1mm，圆环直径1mm的电感值为5.6nH。;;;涡流，电感产生的交变电磁场在附近的导体中产生循环电流，这些涡流会消耗磁场能量。用串联的电阻描述，
采用轻掺杂硅衬底，可以减小损耗，磁场可以深入硅数um，;RS电感寄生电阻，趋肤效应，寄生电阻增大
衬底电阻;与频率相关，一般Q值随频率增加，衬底电阻;1 使用高电阻率衬底
2 采用最高金属层制作
3可以使用多层金属并联
4 未使用的金属原理电感
5 避免金属线过宽或过窄10-15um
6尽可能窄的线圈间距
7线圈内部不要填满
8不要在电感上下增加金属，如增加可分成小块
9连接线短而直
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