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第一章 硅和锗的化学制备;一 物理性质比较;二 化学性质;自然界,Si —SiO2和硅酸盐;地球上存在的天然二氧化硅称为(统称为)硅石;玛 瑙;石英;水晶;二氧化硅的用途;GeO2特性:
有两种晶型;Si+2Cl2=SiCl4
Si+3HCl=SiHCl3+H2
Ge+2Cl2=GeCl4
GeO2+4HCl=GeCl4+2H2O
;SiCl4、SiHCl3、SiH4的物理化学特性见表1.2;SiCl4
SiHCl3;2、Si、Ge高温下可与H2O、O2反应;4、硅(锗)镁合金与无机酸或卤氨盐作用制硅(锗)烷;5、SiH4特性
(a) 活性高,空气中自然,与液氧混合在-190℃低温下发生爆炸;;1-2 高纯硅的制备;粗硅的制备反应式:
SiO2 + 3C ====== SiC + 2 CO (1)
2SiC + SiO2 ====== 3Si + 2 CO (2)
总反应: SiO2 + 2C ====== Si + 2CO
反应温度下硅是气相,然后凝固成固相
;中间产物碳化硅的用途
碳化硅又称为“人造金刚石”,是良好导热,耐磨材料。
1.有色金属冶炼工业
利用碳化硅具有耐高温,强度大,导热性能好,抗冲击的特性,作高温间接加热材料,如坚罐蒸馏炉。精馏炉塔盘,铝电解槽,铜熔化炉内衬,锌粉炉用弧型板,热电偶保护管等。
2. 钢铁工业方面的应用
利用碳化硅的耐腐蚀,抗热冲击,耐磨损,导热好的特点,用于大型高炉内衬。;3.冶金工业的应用
碳化硅硬度仅次于金刚石,具有较强的耐磨性能,是耐磨管道,叶轮,泵室,矿斗内衬的理想材料。其耐磨性能是铸铁,橡胶使用寿命的5-20倍,也是航空飞行跑道的理想材料之一。
4.建材陶瓷,砂轮工业方面的应用
利用其导热系数高,热辐射、高热强度大的特性,制备薄板窑具,不仅能减少窑具容量,还提高了窑炉的装容量和产品质量,缩短了生产周期,是陶瓷釉面烘烤烧结的理想间接材料。
5.节能方面的应用
利用其良好的导热和热稳定性,作热交换器,燃耗减少20%,节约燃料35%,使生产率提高20-30%;化学提纯制备高纯硅的方法:
1、SiHCl3氢还原法
优点:产量大、质量高、成本低
是目前国内外制取高纯硅的主要方法。
2、SiH4法
优点:有效除去硼和金属杂质、无腐蚀性、
不需要还原剂、分解温度低和收益高,是有前途的方法。
缺点:易爆炸,不安全。
3、SiCl4氢还原法——硅收益低,不常用。
但在Si外延生长中有使用SiCl4做Si源。
;单晶、多晶和非晶体原子排列 ;制备方法
单晶硅按晶体生长方法的不同,主要分为直拉法(CZ)和区熔法(FZ)。;概念;单晶硅太阳能电池与多晶硅太阳能电池的差异;;1-2-1 三氯氢硅氢还原法;SiHCl3的制备;为了减少副产物,生产中要控制:
(1)反应温度280-300℃。
(2)向反应炉中通一定量的H2,H2/HCl=1/3-5之间。
(3)硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥,并且
硅粉的粒度控制在0.18-0.12mm。
(4)合成时加入少量催化剂(铜、银、镁合金),
可降低合成温度和提高SiHCl3产量。;三氯氢硅的提纯
工业Si合成的SiHCl3中含有一定量的SiCl4和多种杂质的氯化物,必须除去。
提纯的方法:络合物形成法、固体吸附法、部分水解法和精馏法(常用)
SiHCl3提纯的主要方法就是精馏。可将SiHCl3的纯度从97%—98%提纯到9个“9”到10个“9”,精馏装置见图1-2 ;三氯氢硅的提纯
精馏提纯的原理:
1.蒸馏:利用液体混合物中各组分挥发性的差异来 分离液体混合物的传质过程。
(各组分的沸点见表3)
2.精馏:多次部分汽化,多次部分冷凝。;简单蒸馏又称微分蒸馏
简单蒸馏的基本流程如图所示。
一定量的原料液投入蒸馏釜 中,在恒定压力下加热气化,陆续产生的蒸汽进入冷凝器,经冷凝后的液体(又称馏出液)根据不同要求放入不同的产品罐中。
由于整个蒸馏过程中,气相的组成和液相的组成都是不断降低的,所以每个罐子收集的溶液的组成是不同的,因此混合液得到了初步的分离。
因上述流程很简单,故称其为简单蒸馏,它是较早的一种蒸馏方式。;精馏原理
右图是一个典型的板式连续精馏塔。塔内有若干层塔板,每一层就是一个接触级,它为气液两相提供传质场所。总体来看,全塔自塔底向上气相中易挥发组分浓度逐级增加;自塔顶向下液相中难挥发组分浓度逐级增加。因此只要有足够多的塔板数,就能在塔顶得到高纯度的易挥发组分A,塔底得到高纯度的难
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