电子技术第7章汇总.ppt

电工电子课部 ;课程概况： 1.总学时48=课堂教学36+实验教学12 2.成绩组成100= 期末卷面70+实验成绩25+平时5;本课程学习特点： 元件：特性、参数、技术指标和正确使用方法 目的-------应用！ ;第7章 半导体器件;7.1.1 本征半导体;;共价键价电子;;7.1.2 N型半导体和P型半导体;1. N型半导体;1. N型半导体;当在硅或锗的晶体中掺入微量硼(或其它三价元素)时，硼原子与周围的四个硅原子形成共价键后，硼原子的外层电子数将是 7 ，比稳定结构少一个价电子。;掺硼半导体中，空穴数目远大于自由电子数目。空穴为多数载流子，自由电子是少数载流子，这种半导体称为空穴型半导体或P型半导体。;7.2 PN结及其单向导电特性;7.2.1 PN结的形成;;7.2.2 PN结的单向导电性;2) 加反向电压;7.3 半导体二极管;既然二极管是由 PN 结构成的，它自然具有着单向导电性。某种硅二极管的电流-电压关系 (伏安特性)可见图示：;截止区:;二极管的特性不仅可用伏安曲线表示，也可用一些数据进行说明这些数据就是二极管的参数。二极管的主要参数有：;．国产半导体器件命名方法。 ;+ -;7.3.4 二极管的应用;7.4 稳压管;7.4.1 伏安特性;1、稳定电压Uz 指稳压管正常工作时的端电压。 同一型号稳压管UZ也不一定相等。;3、电压温度系数 ?U;4、动态电阻rZ 动态电阻越小，稳压效果越好。;￥二极管引脚识别及性能简易测试;例;;7.5.1 基本结构;; 为了了解晶体管的放大原理和其中电流的分配，我们先做一个实验，实验电路如图所示。;通过实验及测量结果，得：;1、发射区向基区扩散电子;3、集电区收集扩散电子;在晶体管中，不仅IC比IB大很多；当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。;7.5.3 特性曲线;1. 输入特性曲线;2. 输出特性曲线;(1) 放大区;特性曲线;晶体管的特性不仅可用特性曲线表示，还可用一些数据进行说明，即晶体管参数。它是设计电路和选用器件的依据。;说明：;3. 集-射极反向截止电流ICEO;见书思考练习－－同学们回答;例：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位V1、V2、V3分别为： （1）V1=3.5V、V2=2.8V、V3=12V （2）V1=－6V、V2=－3.4V、V3=－3.2V 试判断??们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。;限流电阻20KΩ；继电器线圈10KΩ，2.5mA ;正常：B=0V,故障：B=5V;KA:0.36w,6v T:β=200 EL:40W,220V