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电 子 元 器 件;典型应用：手机;第一章 半导体器件;物质按其导电性能可分为：导体，绝缘体，半导体;;§1.1.2 本征半导体;? 对半导体施加外电场;在半导体中，电子电流和空穴电流并存，这也是半导体和金属在导电机理上的本质区别;自由电子和空穴 统称为 载流子;§1.1.3 杂质半导体 ;1、N型半导体;;2、P型半导体;P型半导体 ( Positive );§1.1.4 PN 结的形成;P区空穴浓度大，空穴由P区向N区扩散，在交界面附近的P区留下一些负离子;内电场;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。; 1.2 半导体二极管（Diode）;二极管的组成;（2）U? 死区电压，U↑→I↑↑;P;（1）当|U| U(BR)（反向击穿电压）时，二极管只存在 少数载流子漂移，从而形成较小的反向饱和电流 ;（2）若|U| U(BR)，少数载流子的高速运动将其他 被束缚的价电子撞击出来，如此形成连锁反应， 使得二极管中载流子剧增，形成很大的反向电 流——反向击穿 ; 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。;1、一般可将二极管视为理想元件（死区电压、导通电压 均认为是零，反向电流为零） ;（1）正向导通时，二极管元件上的正向导通压降可 认为是零，正向电阻为零（将其视为短路）;2、含二极管电路的分析方法;解：将D开路，求其两端开路电压U， 若U0，则D导通；反之D截止。;故D截止，Uo= -2V ;例3 若将E改为ui，求uo;例4 已知 ，画 的波形。 ;（2）如果电路中含多个二极管，则应断开所有二极管， 求出各管所承受的电压，其中承受正向电压最大者优先 导通，遂将其短路，接着再分析其他二极管。; 稳压管是一种特殊的二极管， 其伏安特性与普通二极管的差异：;二、主要参数;§1.4 晶体三极管; 为了具备电流放大作用，三极管按如下工艺制造： 1）基区很薄且掺杂浓度很低； 2）发射区掺杂浓度很高，与基区相差很大； 3）发射区掺杂浓度比集电区高，而集电区尺寸比发射区大，发射区与集电区是同型半导体，但两者并不对称，使用时E和C两极不能互换。;电流分配放大原理; 一、晶体管的结构和符号;二、晶体管的放大原理;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;晶体管的三个工作区域;结 论 实验表明IC比IB大数十至数百倍，IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。;结 论 ☆三极管工作在放大区时，具有电流放大作用，常用来构成各种放大电路。在上篇模拟电子技术中的三极管作为放大元件，起放大作用，因此都必须工作在放大区。 ☆三极管工作在截止区和饱和区时，相当于断开和接通的开关，起开关作用。常用来构成各种开关控制和数字电路。下篇的数字电路中的三极管作为开关元件，起开关作用，都要求工作在截止或饱和区。;四、温度对晶体管特性的影响;晶体管也存在死区电压;? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ;1、放大区;2、截止区;3、饱和区;4、温度对三极管参数的影响;例1 已知三极管工作于放大区，测得三极管各极的电位分别如下，试判断各三极管的类型、材料、电极。;【例 】放大电路中测得某三极管3个电极电位U1、U2、U3分别为8V、11.8V、12V，试判断此三极管是NPN还是PNP型？是锗管还是硅管？确定三个电极e、b、c。;【例1.2 】测得放大电路中某三极管的两个电极电流如图。 （1）求另一电极电流，并标出极性。 （2）判断是NPN还是PNP管。 （3）标出e、b、c三个电极 （4）估算 值。;【例1.3 】在无信号输入，各晶体管三个电极对地电位如图，判断各管工作状态，哪些损坏？;第一章内容小结;第二章 基本放大电路;实现放大的条件;二、设置静态工作点的必要性;三、基本共射放大电路的波形分析;四、放大电路的组成原则;两种实用放大电路：（1）直接耦合放大电路;两种实用放大电路：（2）阻容耦合放大电路;§2.3 放大电路的分析方法;一、放大电路的直流通路和交流通路;基本共射放大电路的直流通路和交流通路;当VCCUBEQ时，;3. 失真分析;饱和失真;三、动态分析（微变等效电路法