07a-第三章晶体缺陷探究.ppt

第三章 晶体结构缺陷;3.1 缺陷及其分类;3.1.1 结构缺陷的分类;点缺陷 (零维缺陷);点缺陷有时候对材料性能是有害的;点缺陷有时候对材料性能又是有利的;线缺陷 (一维缺陷);当晶体中有一个晶面在生长过程中中断了，便在相隔一层的两个晶面之间造成了短缺一部分晶面的情况。这就形成了刃位错。;螺位错则是绕着一根轴线盘旋生长起来的。每绕轴盘旋一周，就上升一个晶面间距。;从另一个角度认识位错;在实际晶体中很可能是同时产生刃位错和螺位错。 在位错处还可能聚集着一些杂质原子，这也是一类线缺陷。 位错理论最初是为了解释金属的塑性相变而提出来的一种假说，20 世纪 50 年代后被实验证实 金属材料中的位错是决定金属力学性能的基本因素。;面缺陷 (二维缺陷);在界面处原子的排列顺序发生了变化，从而形成了面缺陷。; 绝大多数晶态材料都是以多晶体的形式存在的。每一个晶粒都是一个单晶体。多晶体中不同取向的晶粒之间的界面称为晶界。 晶界附近的原子排列比较紊乱，构成了面缺陷。 陶瓷多晶体的晶界效应调控是改善陶瓷性能的主要手段之一。 结构陶瓷的界面强化、电子陶瓷的界面电性能 晶界工程;另一类面缺陷 ?? 堆跺层错;;体缺陷 (三维缺陷);ZrO2增韧莫来石陶瓷中的气孔 (过烧引起)。这种缺陷会导致材料性能的劣化。;TiCN 颗粒增强氧化铝陶瓷中的 TiCN 颗粒。这种人为引进的缺陷可以改善材料的性能。;3.1.2 点缺陷的分类;按缺陷产生的原因分类;两种典型的热缺陷;两种典型的热缺陷;3.2 热缺陷的平衡浓度;以 Schottky 缺陷为例;?S 由两部分组成 组态熵或混合熵?SC 振动熵?Sv ;在平衡时，??G/?n ＝ 0，故有;注意 n N，;在离子晶体中，必须考虑正、负离子空位成对出现，因此推导过程中应该考虑正离子数nM和负离子数nX 。这种情况下，微观状态数由于正负离子同时出现，应该写成W = WM? WX，最终得到 ;对 Frenkel 缺陷可以得到相同的结果。 式中的 n/N 为热缺陷浓度，随温度升高而呈指数增加。 同一晶体中，Schottky 缺陷与Frenkel 缺陷的能量往往存在很大的差别。;习 题;点缺陷浓度的两种表示方式;3.3 缺陷的表示符号;空 位 VM和VX; 缺陷类型;3.4 缺陷反应方程;缺陷反应方程;;缺陷反应方程;缺陷反应方程;缺陷反应方程;3.5 固溶体; 在 Al2O3 晶体中溶入 Cr2O3，由于 Cr3+ 能产生受激辐射，使得原来没有激光性能的白宝石 (?-Al2O3) 变为了有激光性能的红宝石。 碳钢中的铁素体是 C 在 ?-Fe 中的填隙固溶体，属体心立方结构。C 只是随机地填入其间的一些八面体空隙。 如果 C 的填隙呈有序状态，所得到的结构就成为体心四方结构。相应形成的是马氏体。马氏体的硬度、强度比铁素体高，但塑性变差了。;固溶体的分类;固溶度;置换型固溶体固溶度的影响因素：原子半径;Au-Ag之间可以形成连续固溶体：Au 的半径为 0.137 nm，Ag 的半径为 0.126 nm。原子半径差为 8.7%。 常见的金首饰 14 K (含金量58.33%)、18 K (含金量75%)、22 K (含金量91.67%)、24 K (含金量99.99%) 等都是金和银 (或铜) 的固溶体 MgO-NiO之间也可以形成连续固溶体：Mg 的半径为 0.072 nm，Ni 的半径为 0.070 nm。原子半径差为 2.8%。 MgO-CaO之间则不容易形成固溶体：Mg 的半径为 0.072 nm，Ca 的半径为 0.099 nm。原子半径差接近 30%。;置换型固溶体固溶度的影响因素：晶体结构;固溶体的力学性能与成分的关系;Al2O3 固溶进入Cr2O3;低价阳离子置换高价阳例子;低价阳离子置换高价阳例子;(3) 不等价置换固溶体：补偿机制;在氧化铝中掺杂摩尔百分数分别为 0.5% 的 NiO和 0.02% 的 Cr2O3, 制成金黄色的人造黄玉，经分析是形成了置换型固溶体。;例题： (a) 在 CaF2 晶体中，Frankel 缺陷形成能为2.8 eV，Schttky 缺陷的生成能为5.5 eV，计算在25℃和 1600℃时热缺陷的浓度？(b) 如果 CaF2 晶体中含有 10－6的 YF3 杂质，则在1600℃时， CaF2 晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。;(b);习题： 高温结构材料Al2O3可以用 ZrO2 来实现增韧。如加入0.2mol% ZrO2,试写出缺陷反应式和固溶分子式。;固溶体研究方法举例;对于CaO-ZrO2固溶体，从满足电中性以求看，可以写出两个固溶方程 ;萤石结构中有 4 个阳离子和 8 个阴离子。当 15 mol% CaO溶入Z