07-半导体电子论探究.ppt

第7章 半导体电子论;;;1. 半导体的带隙;本征边附近光的跃迁 ;—— 跃迁的过程中，电子的波矢可以看作是不变的;2) 非竖直跃迁 —— 间接带隙半导体;准动量守恒的选择定则;非竖直跃迁是一个二级过程，发生几率比起竖直跃迁小得多 —— 间接带隙半导体;—— 半导体带隙宽度和类别可以通过本征光吸收进行测定;2. 带边有效质量 ;电子能量;有效质量;有效质量的计算;整理得到;已知晶体中电子在 的所有状态;—— 周期性场中电子的哈密顿函数和波函数;假设能带是非简并情况;能量二级修正;选择 为主轴方向;诸多的 中如果存在一个态;几种半导体材料的带隙宽度与有效质量 ;的情况;利用回旋共振方法测得的 Ge, Si 导带的有效质量;;实际的半导体;一个IV族元素Ge（4价）被一个V族元素As（5价）取代;—— B原子和近邻的4个Si原子形成共价键尚缺一个电子;一个IV族元素Si（4价）被一个III族元素B（3价）所取代;1. 施主和受主 ;2) 受主;2. 类氢杂质能级 ;P 型半导体;类氢杂质能级讨论和分析;类氢施主杂质中电子的波函数 ;施主的电离能;电子电离 —— 电子摆脱施主束缚能在导带中运动;电子的基态波函数;对于掺入少一个电子的原子构成受主的情况是类似的;—— 以上形成的施主或受主，称为类氢杂质能级;? 深能级杂质的多重能级与荷电状态;? 深能级杂质和缺陷的作用;;且有;满带中空穴占据的几率 —— 能级不被电子占据的几率;—— 半导体中的导带能级和满带能级远离费密能量 —— 导带接近于空的，满带接近于充满 ;2. 费密能级和载流子浓度 ;导带中电子的浓度;令;导带电子浓度;3. 杂质激发 ;—— 导带底与施主能级差;温度很低时;P 型半导体 ;4. 本征激发 ;;平均漂移速度和外场的关系;杂质激发的范围，主要是一种载流子;2. 半导体的霍耳效应 ;半导体片两端形成正负电荷的积累，产生静电场;—— 半导体的霍耳系数与载流子浓度成反比 —— 半导体的霍耳效应比金属强得多;—— 根据电导和载流子浓度的测量结果，与理论计算的结果进行比较可以获得带隙宽度、杂质电离能和杂质浓度等信息;;热平衡下电子和空穴的浓度;在外界的影响作用下，电子和空穴浓度可能偏离平衡值;非平衡载流子对多子和少子的影响 ;—— 开始光照，载流子的产生率增大，同时复合率也增大 载流子的浓度偏离热平衡时的浓度;—— 单位时间、单位体积复合的载流子数目;非平衡载流子的寿命?的意义 ;2) 非平衡载流子的寿命?越大，光电导效应越明显;3) 非平衡载流子的寿命?对光电导效应有着重要的意义，通 过测量光电导的衰减，可以确定非平衡载流子的寿命;2. 非平衡载流子的扩散 ;一维扩散电流的讨论 ;非平衡载流子的扩散是热运动的结果;方程的通解;;1. 平衡PN结势垒 ;N区和P区的费密能级不相等，在PN结处产生电荷的积累 —— 稳定后形成一定的电势差;PN结势垒作用 ;—— 抵消原来P区和N区电子费密能级的差别;扩散和漂移形成平衡电荷分布，满足玻耳兹曼统计规律;2. PN结的正向注入 ;电子扩散电流密度;边界处非平衡载流子浓度;边界处非平衡载流子浓度;注入到P区的电子电流密度;结果讨论;3. PN结的反向抽取 ;P区边界电子的浓度;一般情况下;—— P区和N区少数载流子的产生率;反向饱和电流 —— 扩散长度一层内，总的少数载流子产生 率乘以电子电量q;;—— P型半导体;3) 正电压较小 —— 空穴被排斥，在表面处形成负电??的耗尽层;—— 空间电荷区存在电场，使能带发生弯曲 对空穴来说形成一个势垒;表面 —— x＝0相对于体内xd的电势差 —— 表面势：Vs;空间电荷区的载流子主要为电子，半导体内部的载流子为空穴，空间电荷层 —— 反型层;形成反型层时的能带;形成反型层的条件;反型层中的电子，一边是绝缘层 —— 导带比半导体高出许多，另一边 —— 是耗尽层空间电荷区电场形成的势垒;N沟道晶体管 ;2) 栅极电压达到或超过一定的阈值，Insulator_P-Si表面处形成反型层 —— 电子的浓度大于体内空穴的浓度;;两种材料未构成异质PN结之前的能级图;两种半导体材料构成异质PN结之后的能级图;异质PN结界面处导带底和价带顶不连续 —— 差值;—— 两种材料的费密能级不同，电子从高费密能级材料流向低费密能级材料，形成PN结势垒;异质结的“注入比”;异型同质PN结注入比;—— 如果N型区的带隙宽度大于P型区带隙宽度，即使两边 掺杂