1常用半导体器件选读.ppt

第1章 常用半导体器件 作 业 1.2 1.3 1.8 1.9(2,6) 1.12(b,c) 1.14 1.15 常用半导体器件 1.1.1 半导体基本知识 *1.1.2 半导体二极管 1.1.3 晶体三极管 1.1.4 场效应管 1.1.5 单结晶体管和晶闸管(自学） 1.1.6 集成电路中的元件（自学） 本章要求： 1. 理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用； 2. 了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 3. 会分析含有二极管的电路。 1.1.0 半导体特性 1.1.1 本征半导体 1.1.2 掺杂半导体 1.1.3 PN结及其单向导电性 1.1 半导体基础知识 1.1.0 半导体特性 物体分类 导体 如：金属 绝缘体 如：橡胶、云母、塑料等。 — 导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体  半导体特性 掺入杂质则导电率增加几百倍 掺杂特性 半导体器件 温度增加使导电率大为增加 热敏特性 热敏器件 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势 光敏特性 常用的半导体材料有： 元素半导体：硅（Si）、锗（Ge） 化合物半导体：砷化镓（GaAs） 掺杂材料：硼(B)、铟(In)；磷(P)、锑(Sb)。 光敏器件 光电器件 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 价电子是我们要研究的对象 半导体的共价键结构 硅晶体的空间排列 硅和锗都是四价元素，它们的原子结构外层电子(价电子)数均为4个，价电子受原子核的束缚力最小，决定其化学性质和导电性能 共价键表示两个共有价电子所形成的束缚作用。 T=0K 且无外界激发，只有束缚电子，没有自由电子，本征半导体相当于绝缘体；T=300K，本征激发，少量束缚电子摆脱共价键成为自由电子，这种现象称为本征激发。 1.1.1 本征半导体 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 纯度：99.9999999%，“九个9” 它在物理结构上呈单晶体形态。 常用的本征半导体 Si +14 Ge +32 +4 共价键内的电子 称为束缚电子 挣脱原子核束缚的 电子称为自由电子 价带中留下的 空位称为空穴 外电场E 自由电子定向移 动形成电子流 束缚电子填补空穴的 定向移动形成空穴流 本征半导体 1. 本征半导体中有两种载流子 — 自由电子和空穴 2. 在外电场的作用下，产生电流 — 电子流和空穴流 电子流 自由电子作定向运动形成的 与外电场方向相反 自由电子始终在导带内运动 空穴流 价电子递补空穴形成的 与外电场方向相同 始终在价带内运动 本征半导体 空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。 用空穴移动产生的电流代表束缚电子移动产生的电流 电子浓度ni = 空穴浓度pi 1.1.2 杂质半导体 杂质半导体 掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电率大为提高 掺入三价元素如B、Al、In等， 形成P型半导体，也称空穴型半导体 掺入五价元素如P、Sb等， 形成N型半导体，也称电子型半导体 杂质半导体 P型半导体 +3 +3 在本征半导体中掺入三价元素如B。 自由电子是少子 空穴是多子 杂质原子提供 因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 由热激发形成 杂质半导体 N型半导体 +5 +5 在本征半导体中掺入五价元素如P。 自由电子是多子 空穴是少子 杂质原子提供 由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子 由热激发形成 1.1.3 PN结及其单向导电性 P型半导体中含有受主杂质，在常温下，受主杂质电离为带正电的空穴和带负电的受主离子。 N型半导体中含有施主杂质，在常温下，施主杂质电离为带负电的电子和带正电的施主离子。 除此之外，P型和N型半导体中还有少数受本征激发产生的电子-空穴对，通常本征激发产生的载流子要比掺杂产生的载流子少得多。 半导体中的正负电荷数相等 保持电中性 P区 N区 P区 N区 扩散运动 载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运动。 形成的电流成为扩散电流 内电场 内电场阻碍多子向对方的扩散 即阻碍扩散运动；同时促进少 子向对方漂移，即促进了漂移 运动 扩散运动=漂移运动时 达到动态平衡 空间电荷区：由不能移动的带电粒子组成，集中在P区和N区的交界处 1.PN结的形成 内电场阻止多子扩散 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 扩散运动 载流子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动 扩散运动产生扩散电流 漂移运动 载