9气相法(新)探究.ppt

第9章 气相法;气相法制备超细粉体; 气相合成必须具备以下五个基本要素：①气源，可以是固态或液态的蒸发源，亦可以是气态的反应剂；②热源；③气氛；④工艺参数监控系统；⑤粉体的收集系统。 气相法合成超细粉体的特点是产品纯度高，分散性良好，颗粒粒径分布窄，粒径小。;9.1 低压气体中蒸发法(气体冷凝法);惰性气体蒸发-冷凝装置示意图;金属粒子蒸发装置;加热方式;惰性气体凝聚原位加压法;原位加压法;原位加压法的发展方向;原位加压法的的优缺点;9.2 流动液面上真空蒸发法(VEROS);流动液面上真空蒸发法装置示意图;9.3 溅射法(SIM);溅射法制备薄膜：利用荷能粒子轰击靶材表面，从靶面上溅射出粒子。粒子飞行到对面的衬底上沉积得到薄膜。通过这种方法可以制备出与靶材相同的化合物薄膜，也可以在反应室中充入反应气体，使溅射粒子与反应气反应形成新的化合物如氮化物，氧化物等。;9.4 化学气相沉积法CVD; CVD 已经在微电子材料领域获得广泛的应用，同时也是合成各种功能性涂层和超细颗粒的实用技术。CVD 作为新材料的合成技术，具有四大特征，即多功能性，可制成多种类型多种形态的产品，其生产规模既适用于小批量生产，也适用于大批量生产。适用对象极广，产品具有高纯性，工艺过程可实现精密的控制和调节，并且能实现原子层之间界面的控制。同时也能从相同的原料体系出发合成组成、晶型和晶体结构各异的材料。; 根据加热方法的不同，CVD 法可分为热 CVD 法、等离子体CVD 法和激光 CVD 法等，热 CVD 法可用于合成超细二氧化钛、二氧化硅、三氧化二铝和碳化硅等；等离子体 CVD 法可用于合成超细 SiC、Si3N4、AlN、ZrO2等；激光 CVD 法可用于合成超细Si、SiC、Si3N4、三氧化二铝等。 气相反应法制备超细粉体时，生成物的性质除与反应体系的物化特性有关外，还与反应器的结构、加热方式、反应气体向反应部位的导入等有很大关系。;TiO2制备方法－CVD;纳米纤维制备方法－CVD;CVD基体法制备纳米碳管示意图;化学气相沉积法(CVD法);9.5 激光诱导化学气相沉积LICVD;装置：正交装置和平行装置。正交装置中，激光束与反应气体的流向??交，使用方便，易控制，工程上实用价值大。 特点：a. 除反应物以外无杂质，可制备超纯微粉；b. 提供一个与周围环境绝热、均匀的高温反应空间，所以合成反应容易控制，能合成单分散性的微粉。;9.6 等离子体化学及应用;9.6.1 物质的第四态——等离子态;9.6.2 产生等离子体的方法和原理;9.6.3 直流电弧等离子体法制备超微镍金属粉;9.7 低温等离子体化学法;9.8 MOPCVD硬模技术及应用;MOPCVD制备Ti(CN)膜;9.9 化学气相输送反应法;Fe + 5CO ==== Fe(CO)5;化学气相输送法制备GaAs膜;思考题