ch6离子注入探究.pptVIP

微电子制造工艺概论;6.1概述 6.2离子注入原理 6.3注入离子在靶中的分布 6.4注入损伤 6.5退火 6.6离子注入设备与工艺 6.7离子注入的其它应用;离子注入（Ion Injection Tehnique）：离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质。 ;离子注入特点： 注入元素通过质量分析器选取，纯度高，能量单一； 各种杂质浓度分布与注入浓度可通过精确控制掺杂剂量（1011-1017 cm-2）和能量（5-500 keV）来达到； 同一平面上杂质掺杂分布非常均匀（8寸晶圆±1%变化）； 低温过程（因此可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质）；避免了高温过程引起的热扩散；易于实现对化合物半导体的掺杂； 离子注入深度随离子能量增加而增加，掺杂深度可以通过控制离子束的能量高低来实现； 非平衡过程，不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度； 横向效应比气固相扩散小得多，有利于器件尺寸的缩小； 可防止玷污，自由度大； 容易实现对化合物半导体的掺杂； 会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改进；;离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。;射程R（range）: 离子从进入靶起到停止点所通过路径的总距离R。 投影射程xp（projected range）：射程 R在入射方向上的投影。 射程横向分量xi：射程在垂直于入射方向的平面内的投影长度。;6.2.1与注入离子分布相关的几个概念;1963年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论。 LSS理论对在非晶靶中注入离子的射程分布的研究。 该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程： (1) 核碰撞（nuclear stopping）； (2) 电子碰撞 （electronic stopping） 总能量损失为两者之和。;核碰撞：能量为E的一个注入离子与靶原子核碰撞，离子能量转移到原子核上，结果将使离子改变运动方向，而靶原子核可能离开原位，成为间隙原子核，或只是能量增加。 核阻止本领：能量为E的注入离子在单位密度靶内运动单位长度时，损失给靶原子核的能量。离子在其运动路径x处的能量为E，核阻止本领Sn(E)定义为;r——两粒子之间的距离；Z1，Z2 ——两粒子原子序数； 考虑电子屏蔽时离子与靶核之间相互作用势函数：;能量损失率与离子能量的关系;电子碰撞指的是注入离子与靶内白由电子以及束缚电子之间的碰撞。 注入离子和靶原子周围电子云通过库仑作用，使离子和电子碰撞失去能量，而束缚电子被激发或电离，自由电子发生移动。瞬时地形成电子-空穴对。定义电子的阻止本领Se(E)为： 电子的阻止本领与入射离子的速度成正比，即 ;dE/dx：能量损失梯度； E：注入离子在其运动路程上任一点x处的能量； Sn(E)：核阻止本领； Se(E)：电子阻止本领；;As,P,B在硅中核、电子阻止本领与能量关系计算值;低能区;注入离子在靶内受到的碰撞是随机的，所以杂质分布也是按几率分布的。 离子进入非晶层（穿入距离）的分布接近高斯分布。 设注入离子的初始能量为E0，从进入靶面到静止时所经过的总距离 ;;高斯分布只在峰值附近与实际分布符合较好;例：设向直径200mm的硅晶片中注入能量为100keV的硼离子，注入剂量为5×1014离子数/cm2 。求峰值浓度，若注入在1分钟内完成，求离子束流大小。;横向效应指的是注入离子在垂直于入射方向平面内的分布情况。 假定掩膜窗口宽为2a，窗口区域为(-a, +a)内，在掩膜窗口的内侧，粒子浓度较窗口中央有所减少；而在掩膜窗口边缘，离子浓度降低至最大值一半；距离大于+a或小于-a时，各处浓度按余误差分布。;6.3注入离子在靶中的分布——横向效应;35 keV As注入;110; ;减小离子沟道效应的方法： 非晶表面阻挡层：在表面生长一层纯二氧化硅薄膜，此膜层使得离子入射方向随机化，造成离子以不同的角度进入晶片，以减小沟道效应。 晶片偏离晶向：把晶片表面偏离主平面5°到10°。大部分离子注入机使晶片倾斜7°，并使主平面扭曲22°来防止离子沟道效应。 在晶片表面设置破坏层：采用硅和锗的重离子注入给晶片表面造成预损区，在晶片表面形成一个结构随机化的膜层。;晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空位－间隙原子对及其它类型晶格无序的分布。这种因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤。;注