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韩 昌 报
2014/11/17;内容提要;一 GaN的基本结构、参数与全色发光;2.GaN全色发光;晶体结构缺陷类型;二 GaN中的缺陷和杂质 ;2.1 GaN中的空位;2.12 氮空位（VN）;2.13 双空位（VGaVN）;2.21 Ga间隙（Gai）;2.22 N间隙（Ni）;2.23 镓反位（GaN）;2.3 GaN中的杂质;2.31 Si和O形成的杂质; 当费米能级位置升高时 , VGa和VGa-ON的形成能迅速地降低 ,这也说明费米能级越接近于导带, VGa和V Ga-ON复合体的浓度就越高；而当费米能级远离导带时, VGa和VGa-ON复合体浓度变得很低（所以只能在n型GaN中观测到黄色荧光）。
;2.32氢杂质;三 GaN中的位错;3.2 GaN中位错对其光电性能的影响; GaN中缺陷和杂质所产生的深能级发光会降低带间辐射复合的发光效率。在n型GaN和非故意掺杂n型GaN之中，普遍存在“黄带”的问题。“黄带”是指光致发光光谱中发光中心位于2.2-2.3eV的宽广的发光带。
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