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材 料 物 理 性 能;基本概念;基本概念 ;R;基本概念 ;金属电子导电;金属电子导电;金属电子导电;电阻率的影响因素;0;温度与电阻率;温度与电阻率;T;100;压力与电阻率;↓;＞0;冷加工与电阻率;冷加工与电阻率;缺陷与电阻率;固溶体的电阻率;固溶体的电阻率;固溶体的电阻率;有序固溶体的;Cu—Au合金电阻率曲线;有序固溶体的电阻率;不均匀固溶体(K状态)的电阻率;不均匀固溶体(K状态)的电阻率;不均匀固溶体(K状态)的电阻率;不均匀固溶体(K状态)的电阻率;离子类载流子导电;离子类载流子导电;离子类载流子导电;离子类载流子导电;离子类载流子导电;离子类载流子导电;离子导电的影响因素;离子性质、晶体结构的影响;离子导电的影响因素;快离子导体;快离子导体;立方稳定的氧化锆(ZrO2);半导体的电学性能;金刚石的键联结构，若A、B位置由不同的原子占据，得到闪锌矿结构;单质硅和锗是当今应用最广泛的半导体材料。锗在所有固体中是能够获得最纯样品并研究得最多的半导体材料。在最纯的锗样品里杂质的含量只有10-10。硅可以达到的纯度比锗大约低一个数量级，但仍然比任何其他物质都纯。;本征半导体;(a) A位置键合破坏产生一个导电子和一个空穴;本征载流子的浓度;本征半导体的迁移率;本征半导体的迁移率;本征半导体的电阻率;杂质半导体的电学性能;n型半导体;在n型半导体中，自由电子的浓度大(1.5×1014cm-3)，故自由电子称为多数载流子，简称多子。;n型半导体的电流密度;P型半导体;见图2.33;在p型半导体中，因受主杂质能接受价电子产生空穴，使空穴浓度大大提高，空穴为多数载流子，电子是少数载流子。;杂质半导体的特性;温度对半导体电阻的影响;(2)当升高到一定温度后,杂质全部电离，称为饱和区。由于本征激发尚未开始，载流子浓度基本上保持恒定。这时点阵振动的声子散射已起主要作用而使迁移率下降，因而导致电阻率随温度的升高而增高。;超导电性;超导体的基本特性;超导体的性能指标;两类超导体;超导现象的物理本质;这些成对的电子在材料中规则地运动时，如果碰到物理缺陷、化学缺陷或热缺陷，而这种缺陷所给予电子的能量变化又不足以使“电子对”破坏，则此“电子对”将不损耗能量，即在缺陷处电子不发生散射而无阻碍地通过。;超导应用举例;Superconducting Magnetic Energy Storage;电性能测量及其应用 ;电性能测量及其应用 ;电性能测量及其应用 ;电阻分析的应用;电阻分析法测溶解度曲线;1200℃,24hr均匀化处理后，从850 ℃淬火至液氮(-196 ℃)得到马氏体;电阻率ρ;(d)当平均间距增大到一定尺寸时电子散射最为强烈，电阻率达到最高值。;材料疲劳过程的研究;研究碳钢的回火;马氏体相变的研究;作 业;Thanks for your attention!