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东南大学信息学院模答案作业题_第三章.pptVIP

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  • 2017-04-30 发布于贵州
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东南大学信息学院模答案作业题_第三章.ppt

    东南大学信息学院模答案作业题_第三章

    习 题; 3-2 在图P3-2所示电路中，假设两管?n、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/l) 是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。 ;3-6 在图P3-6所示电路中，已知增强型MOSFET的;双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图P3-7所示，已知VGS(th)=2V，?nCox=200?A/V2，W=40?m ，l=10?m。设?=0，要求ID= 0.4mA，VD=1V，试确定RD，RS值。 ;3-13;3-15;3-16

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