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单晶160S色斑异常分析报告
单晶160S色斑异常分析报告;一、数据统计(12.27--1.6);一、数据统计(1.7--12.22)
;近1个月以来，单晶160S色斑降B持续多个班出现降B比例＞1.0%，个别班组出现色斑降C比例＞0.3%,甚至高达0.59%。典型外观降级图示如下：;色斑降B;三、排查方法及过程;2、在产线制绒工序工艺参数及设备状态均正常的条件下，此类粗线手套指纹印无法经过清洗制绒去除，且烧结返工后效果不良。制绒后外观图示及数据统计如下：;镀膜后外观;3、随机从单晶160S原材料中抽样1000pcs，在L1-2和L2-1分别制绒500pcs，观察外观。发现有表面发白和手指印两种异常外观。数据统计如下：;四、结果说明及推断;2、发白片异常外观
①L1-2和L2-1线槽体液位、工艺参数及设备状态均正常，外观异常硅片每框每槽不规律出现，排除槽体问题。
②发白异常区域位于硅片正面边缘处。用电子显微镜50X倍数观察发白区域绒面，发现此处无绒面或绒面不均匀。
③发白片在经过烧结后重新制绒可能会使一部分硅片异常面积变小，但不能完全消失。一部分外观正常，但电性能参数明显下降，较正常片效率降低0.1%-0.2%。
;1、在初次生产过程中，制绒、扩散及刻蚀上下料处未能及时将160阳光原材料发白及手指印异常外观的硅片挑出退库，部分不慎流入PECVD后，造成当班返工。
2、丝印上料人员监控不严，导致部分经过丝印后制成成品电池，造成降级。
3、异常片流出数量增加，造成当班产量降低，且各工序各物料单耗增加。;六、对策建议
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