第4章热氧化学案.ppt

热氧化的目的 在 Si 衬底的表面生长一层 SiO2 薄膜。 ;;;栅氧化层; 阻挡层氧化;掺杂阻挡层;;注入屏蔽氧化层;金属层间绝缘阻挡层;*; 制备 SiO2 薄膜的方法 热氧化、化学汽相淀积（CVD）、物理汽相淀积（PVD）、离子注入氧化、阳极氧化等。 ;4.1 迪尔和格罗夫氧化模型;Cg;上式中，hg = Dg/ts1 为 气相质量输运系数，ks 为氧化剂与硅反应的界面 化学反应速率常数 。 ; 将以上各方程联立求解，可以得到 SiO2/Si 界面处的氧化剂浓度为; SiO2 膜的生长速率和厚度的计算; 利用 tox(0) = t0 的初始条件，以上微分方程的解是; 要注意的是，当氧化层比较厚时，氧化速率将随氧化层厚度的变化而改变。因此，如果在氧化开始时已存在初始氧化层厚度 t0 ，则氧化完成后的氧化层厚度并不是无 t0 时氧化得到的氧化层厚度与 t0 之和，而必须先用 t0 确定τ，再将τ与 t 相加得到有效氧化时间。;4.2 线性和抛物线速率系数; 此时 SiO2 的生长由扩散系数 DSiO2 控制，膜厚与 成正比，称为抛物线生长阶段。B 称为 抛物线速率系数 。; 还有一个问题要注意，氧化过程中要消耗掉一部分衬底中的硅 。氧化层厚度 tox 与消耗掉的硅厚度 tsi 的关系是 tsi = 0.44 tox tox = 2.27 tsi ; 三、影响氧化速率的各种因素; 不同的氧化剂有不同的氧化速率系数，氧化速率的大小顺序为，水汽 湿氧 干氧。而氧化膜质量的好坏顺序则为，干氧 湿氧 水汽，所以很多情况下采用 “干氧 - 湿氧 - 干氧” 的顺序来进行氧化。例如， ; 在抛物线生长阶段 ，氧化速率随着氧化膜的变厚而变慢 ，因此要获得较厚氧化膜就需要很高的温度和很长的时间。这时可采用 高压水汽氧化 技术，即在几到几十个大气压下通过增大氧化剂分压 Pg 来提高氧化速率。;1. Both B and B/A depended on Pg. 2. Pressure increase ? Pg ? Faster oxidation; 反过来，当需要极薄氧化膜的时候，例如 MOSFET 的栅氧化，可以采用 分压热氧化 技术。; 3、氧化温度的影响; 4、硅表面晶向的影响;4.3 初始阶段的氧化;4.4 SiO2的结构; SiO2 中硅原子要运动须打断四个 Si-O 键，而氧原子的运动最多打断两个键，因此 硅空位的出现比氧空位要困难得多。;4.5 SiO2 的特性; 二、化学性质 SiO2 的化学性质非常稳定，仅被 HF 酸腐蚀; 三、SiO2 的掩蔽作用 杂质在 SiO2 中有两种存在形式。 B、P、As、Sb 等 Ⅲ、Ⅴ族杂质是替位式杂质，在 SiO2 中替代硅原子，在 SiO2 中的 扩散系数很小。其中 Ⅲ 族杂质形成负电中心，使非桥联氧转变成桥联氧，增强 SiO2 网络的强度；Ⅴ族杂质形成正电中心，使桥联氧转变成非桥联氧，减弱 SiO2 网络的强度。 Na、K、Pb、Ca 等的氧化物以离子形式存在于 SiO2 网络的间隙中，是填隙式杂质，在 SiO2 中的 扩散系数很大。网络中氧离子增加使非桥联氧增多，网络强度减弱，熔点降低；间隙式杂质的运动会影响器件的稳定性和可靠性。水汽中的羟基起类似的作用。 ; 四、氧化膜的质量检测 1、氧化膜厚度的测量方法;*; (2) 椭圆偏振光法; 2、氧化膜缺陷的检测 包括氧化膜针孔、氧化诱生层错的检测;4.6 掺杂杂质对氧化过程的影响; 热氧化时杂质在 SiO2/Si 界面再分布的 4 种情况; 热氧化过程中硅中杂质再分布的规律 1、硅中掺硼 (1) 温度一定时，水汽氧化（湿氧氧化）导致杂质再分布 程度增大，其 NS/NB 小于干氧氧化； (2) 相同氧化气氛下，氧化温度越高，硼向硅表面扩散速度加快，补偿了杂质的损耗，NS/NB 趋于 1 。;4.7 氧化诱生堆垛层错;3.