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- 2017-05-03 发布于河南
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第五章 单片热释电测辐射热计阵列;本章内容索引;第一节 IC制造工艺与MEMS加工工艺简介;一.集成电路制造工艺;二.MEMS加工工艺;
三种MEMS加工工艺
日本:传统机械加工手段
美国:利用化学腐蚀或IC工艺技术对硅材料进行加工,形成硅基MEMS器件
德国:LIGA技术,利用X射线光刻技术,通过电铸成型和铸塑形成深层微结构;硅微机械加工工艺;硅的化学腐蚀;
缺点:
与集成电路工艺不兼容,难以与集成电路进行集成,且难以准确控制横向尺寸精度,器件尺寸较大;表面牺牲层工艺; 优点:
与IC工艺均采用薄膜技术,易将微机械结构和集成电路集成在一起和批量生产,成本远低于用其它方法制造的MEMS产品
该工艺的基本步骤后面详述;第二节 探测器设计;一.材料选择与材料特性;ZnO;PZT、PbTiO3;性能参数 ZnO PZT(54/46) PbTiO3
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相对介电常数 10.3 965 ~ 1006 80 ~ 110
1KHz下介电
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