测控电路复习提纲20121226.docVIP

第三章 半导体二极管及基本电路 3.1 半导体的基本知识 半导体材料 本征半导体和杂志半导体 载流子，多子，少子，电子，空穴。 3.2 PN结的形成及特性 PN结的形成 漂移运动，扩散运动，空间电荷区，漂移及扩散运动平衡，内电场。 PN结的特性 单向导电性，正向偏置（正偏）[内电场减弱，扩散加强，扩散飘移，正向电流大，空间电荷区变薄]；伏安特性曲线，公式。 反向偏置（反偏），[内电场加强，使扩散停止，有少量飘移，反向电流很小，空间电荷区变厚]。反向击穿。 PN 结的电容效应：扩散电容CD和势垒电容CB。 3.3二极管 半导体二极管的结构 半导体二极管的结构：在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。(1) 点接触型二极管：PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(2) 面接触型二极管：PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(3) 平面型二极管：往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 二极管的参数 最大整流电流 IF，反向击穿电压VBR，反向电流 IR，二极管的极间电容（parasitic capacitance），微变电阻 rd: rd 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比。 3.4 二极基本电路及分析方法 V-I模型，简单计算 齐纳二极管，稳压电路计算等。 双极型三极管及放大电路基础 4.1 半导体三极管（BJT—双结晶体管） 基本结构 两结，三极，结构特点，三极管的基本接法。 BJT的电流分配关系和放大原理 BJT的特性曲线[输入特性曲线，输出特性曲线]，三个工作区，主要参数 4.1.4 主要参数 电流放大系数b，极间反向电流ICBO，ICEO 极限参数：1. 集电极最大允许电流 ICM，2. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO，3. 集电极最大允许耗散功耗PCM 1. 2 放大电路的基本知识 放大电路模型，主要性能指标。 4.2 共射极放大电路 电路组成，简化电路及习惯画法，放大工作原理，放大电路的静态和动态，直流通路和交流通路，放大电路的组成条件。 4.3 放大电路分析方法 图解分析法：静态工作情况分析[图解，估算，直流负载线]，.动态工作情况分析[交流通路，交流负载线，图解] BJT的三个工作区，.工作点不合适引起vo的失真，饱和失真，载止失真。 小信号模型分析法： BJT的小信号建模（H参数），模型简化，参数确定，.用H参数小信号模型分析 共射极基本放大电路,画出小信号等效电路，计算等。 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 温度对工作点的影响，射极偏置电：放大电路指标分析及计算（①静态工作点，②电压增益，③输入电阻），固定偏流电路与射极偏置电路的比较。 共集电极电路，共基极电路 高频小信号模型，三种组态电路频率参数特点。 第5章 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 N沟道增强型MOSFET 结构，工作原理（N沟道增强型）， V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程： ① 截止区；② 可变电阻区；③ 饱和区 MOSFET的主要参数：直流参数（① 开启电压VGS(th) (或VT)，② 夹断电压VGS(off) (或VP)，③ 饱和漏极电流IDSS ，④ 输入电阻RGS） 交流参数：低频跨导gm 5.2 MOSFET放大电路 共源极放大电路，小信号模型分析，计算等。 第八章 功率放大电路 3.1功率放大电路的特点及分类 功放电路的特点，功率放大电路的分类。 3.2 乙类互补对称功放电路 乙类互补对称功放电路结构，互补对称功放电路工作原理，输出功率及效率的分析计算。 功率管的选择，最大管耗与输出功率的关系，互补对称功放电路晶体管参数的选择。 甲乙类互补对称电路，单电源互补对称电路 模拟集成电路 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 BJT电流源电路（镜像电流源，微电流源，高输出阻抗电流源），FET电流源，JFET电流源。 6.2 差分式放大电路 差分式放大电路一般结构，射极耦合差分放大电路（原理，指标计算，共模抑制，单端，双端，共模，差模等），电流源射极偏置，电流源有源负载。 差分式放大电路的传输特性 集成电路运算放大器 实际集成运算放大器的主要参数 1 .输入失调电压VIO： 2.输入偏置电流IIB： 3.输入失调电流 IIO ： 4. 温度漂移 输入失调电压温漂 ： 输入失调电流温漂： 5.开环差模电压增益 AVO和单位增益带宽GBW ： 6.差模输入电阻rid和输出电阻ro 7.最大差模输入电压Vidmax 8.共模抑制比 KCMR ：KCMR=20lg(Avd / Avc )