GaAs化合物半导体及高速集成电路.docVIP

GaAs化合物半导体及高速集成电路 化合物半导体高速集成电路 第一章 绪论 化合物半导体高速集成电路 前言 1.课程研究内容 ? 介绍以GaAs为代表的化合物半导体材料与器件的基础知识和发展动态。 ? 阐述典型的化合物半导体器件工作原理、制作工艺和基本特性及其在超高速微电子 学中的应用。 ? 介绍微波单片集成电路的基本理论、制作工艺和设计方法。 2、课程目的 ? 掌握化合物半导体材料与器件的基本知识与基本概念 ? 掌握典型化合物半导体器件的制作工艺、基本原理和基本特性 ? 了解GaAs场效应管在混合微波集成电路中的应用 ? 掌握微波单片集成电路的设计和制作方法 3、成绩评定 平时成绩30%，期末考试成绩70%，采取闭卷考试，试题主要包括填空、名词解释、简答和计算题。 4、参考文献 《砷化镓微波场效应管及其集成电路》 李效白 主编 科学出版社 《高速GaAs集成电路》史常忻 等著 上海交通大学出版社 《超高速化合物半导体器件》 谢永贵 主编 宇航出版社 第1章 绪论 1.1化合物半导体材料及其器件概述 1.2 GaAs集成电路的发展和现状 1.1化合物半导体材料及其器件概述 1.1.1 化合物半导体材料的研究背景 硅作为第一代半导体材料被广泛应用到通讯设备中，但是硅电路传输信息的速度慢、杂讯多。传输信息速度的关键在于电子移动速率快慢，这是材料的基本电学特性之一，很难加以改良。为了改善硅电路遇到的问题，新材料的研发成为必然趋势。 化合物半导体是由两种或多种元素组成的混晶结构半导体。目前应用最广、发展最快的化合物半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物。 元素周期表中，Ⅳ族列中有著名的半导体Si， Ⅳ 族的左右周期性地排列着Ⅲ族和Ⅴ族元素的镓（Ga）、铝（Al）、砷（As）、氮（N）、铟（In）、磷（P ）等，这些元素的组合形成了化合物半导体的主体。这种组合可 共 47 页 化合物半导体高速集成电路 第一章 绪论 以是两种元素也可以是多种元素。 常用的化合物半导体有GaAs、InP、 GaN、AlχGa1-χAs、InχGa1-χAs、GaχIn1-χP、 （AlχGa1-χ）yIn1-yP等。 1.1.2 化合物半导体材料特性 表1-1 典型化合物半导体GaAs材料与Si材料性能对比 参量 GaAs Si 8000cm2/V.s 1350cm2/V.s 电子迁移率 2×107 cm2/V.s 1×107 cm2/V.s 最大电子漂移速度 能带形式 直接 间接 109Ω 105Ω 最大电阻率 0.7-0.8V 0.4-0.6V 肖特基势垒高度 1.43eV 1.12eV 禁带宽度(300K) 化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。具体表现在以下几个方面： （1）化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度。室温时，GaAs的电子迁移率大约比Si的电子迁移率高5倍，最大电子漂移速度约为Si的两倍。因此，GaAs器件可以做到更高的工作频率和更快的工作速度。 （2）GaAs材料的肖特基势垒特性比Si优越。势垒高度达0.7～0.8eV，高于硅。因此，容易实现良好的栅控特性的MES结构。 （3）GaAs的本征电阻率可达109，比硅高四个数量级，为半绝缘衬底。电路工艺中便于实现自隔离，工艺简化，适合于微波电路和毫米波集成电路。 （4）禁带宽度大，可以在Si器件难以工作的高温领域工作。GaAs禁带宽度为1.43eV，InP为1.27eV，都比硅（1.12eV）大。因此，器件工作温度很高。 （5）GaAs为直接带隙半导体，可以发光。也就是说它可以实现光电集成，即把微电子光电子结合起来，实现单块光电IC的多功能化、复合化，可以应用于将来的光电计算机。 （6）抗辐射能力强。在GaAs中，空穴的迁移率比电子的迁移率低一个数量级以上，如果以电子为多数载流子，可以制成载流子浓度为1017/cm3的场效应管（Field Effect Transistor，FET）。 目前，高性能化合物半导体材料制备设备主要为：分子束外延设备（MBE）和金属有机物化学气相沉积设备（MOCVD）。