低闪烁 19”a-Si薄膜晶体管阵列的设计与开发.docVIP

低闪烁 19”a-Si薄膜晶体管阵列的设计与开发 低闪烁19” a-Si薄膜晶体管阵列的设计与开发 低闪烁19”a-Si薄膜晶体管阵列的设计与开发 摘要 如今液晶显示器(LCD)已广泛应用于社会的各领域，而液晶显示器的关键技术之一即是其中非晶硅薄膜晶体管（a-Si TFT）阵列。相较于传统的阴极射线管（CRT）显示器，液晶显示有着轻薄，能耗低，画质佳的特点。在新技术还未成熟的前提下，a-Si TFT目前仍是平板显示驱动电子器件的主流。所以对现有技术的深入研究以及进行优化无疑具有十分重要的意义。本文即主要针对当前平板显示领域中常用的a-Si TFT阵列进行仿真研究以及优化设计。薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）的操作原理如下：每一个像素具有一个TFT，其栅极(Gate)连接至扫描线，漏极(Drain)连接至资料线，源极(Source)连接至像素电极。在水平方向上的同一条扫描线上所有TFT的栅极是连接在一起的，所以施加的电压是联动的；若在某一条扫描线上施加足够大的正电压，则该扫描线上的TFT将会同时打开，此时该扫描线上的像素电极会与资料线相连通，此时再由资料线依据视讯信号，将对应的灰度电压充电至像素电极。接着施加足够大的负电压使该条扫描线上的TFT全都关闭，直到下次再写入像素电压，其间使得电荷保存在液晶电容上；此时，再启动下一条扫描线，送入对应的视讯信号。如此依序将画面整个的视讯信号写入，再转至第一条扫描线重复上述操作。如此设置合适的液晶穿透度，再配合背光源，即能显示出期望的画面。对于TFT-LCD液晶面板的设计，我们一定要严格按照流程，即从版图设计开始再到仿真验证，再回到版图修改直至完成。然而，在版图设计前，我们须对所要设计的TFT阵列进行分析，深入了解其工艺能力和设计指标，以此能来确定自己所设计的像素的各种参数。对于一般设计而言，我们也可参考已有的一些设计实例，作相应的更改来符合自己的设计目标。当然，如果要从头做起的话，我们就必须先确定一些关键参数。其中，最关键的参数莫过于储存电容Cs和TFT沟道宽度W。根据经验，可通过对充电能力，电荷保持能力，电容耦合效应和信号延迟的计算，得到限制条件，以此来确定储存电容Cs和TFT沟道宽度W的大小。当确定这两个参数后，即可对其他参数作试探性选取，依照设计流程不断优化，以此必能达到自己所期望的设计指标。 通过了解现今国内外研究现状，我们知道如今的a-Si TFT-LCD技术已相对成熟，在日本，韩国，中国台湾都带来了巨大的经济效益。我国内地过去在这方面的研究较为缺乏，而如今也逐渐开展研究，希望在未来几年产业规模上能赶超中国台湾，而技术上要向日韩看齐，以此形成地方经济中新的增长点。因此本课题的研究无疑是能够为平板显示产业提供一定的技术支持和创新型人才。虽然TFT-LCD无论在工艺上还是在设计上都已较为成熟，但这并不代表其中就没有可以改进的地方。而面对不同的需求，可以从设计上有针对地进行一些特别处理，这就极大地丰富了改进TFT-LCD的方向。就我们所研究的课题而言，就是以低闪烁为着重点进行研究。在现有工艺条件下，从设计上努力使闪烁特性达到最优。此外，可以运用一些特殊的方法，如我们所运用的多余源极金属法(AMR)和多电平扫描信号法(MLG),分别从版图设计上和驱动信号上进一步提高了面板的闪烁特性。 本文采用国内某公司的五道光罩非晶硅薄膜晶体管制程，设计一19#39;WXGA非晶硅薄膜晶体管阵列，画出其版图，并对其进行仿真研究。在此基础上，考虑使用特殊的方法提高非晶硅薄膜晶体管阵列的共电极电压(Vcom)的均一性，使其具备优良的低闪烁性能。在本文中， 低闪烁19” a-Si薄膜晶体管阵列的设计与开发 使用了多余源极金属法(AMR)和多电平扫描信号法(MLG)这两种方法来改善，多余源极金属法(AMR)是以部分改变阵列基板的某些寄生电容来改善其闪烁特性，而多电平扫描信号法(MLG)是以改变扫描信号的方法来减少信号延迟从而提高其低闪烁的性能，本文采用Tanner EDA工具中的L-edit和T-spice来分别进行非晶硅薄膜晶体管阵列的版图设计和仿真研究，使用MATLAB对数据进行分析，得出了相关闪烁特性的规律，显著改善了非晶硅薄膜晶体管阵列的闪烁特性。对于低闪烁的研究，主要集中在对于Vcom均一性提高方法的研究。在实际产品中，Vcom如果差别太大，就势必会造成某些像素的灰度电压的偏离，因此在画面切换过程中，使人能更容易地发现这种像素和其他的偏差，造成一种闪烁现象。针对此指标，我们首先对阵列作了相关优化，主要是以提高储存电容Cs和增大扫描线宽度的方法来提高。提高储存电容Cs可降低feedthrough电压，对于Vcom均一性的提高有效果。增