第10章微电子匹配探究.pptVIP

微电子概论;第11章 匹配; 之一：把匹配器件相互靠近放置。 place matched devices close to each other. 之二：使器件保持同一方向。 keep devices in the same orientation. 之三：选择一个中间值作为根部件。 choose a middle value for a root component. ; 之四：采用指状交叉方式。 interdigitate. 之五：用虚设器件包围起来。 surround yourself with dummies. 之六：四方交叉成对器件。 cross-guad your device pairs. ; 之七：使布线上的寄生参数匹配。 match the parasitics on your wiring. 之八：使每一样东西都对称。 keep everything in symmetry. 之九：使差分布线一致。 make differential logic identical. ; 之 十：使器件宽度一致。 match device widths. 之十一：采用尺寸较大的器件。 go large. 之十二：总是与电路设计者交流。 always communicate with your circuit designer. ; 之十三：掩模设计者不会心灵感应。 mask designer are not phychic. 之十四：注意临近的器件。 watch the neighbors. ;生活体验; regular (rectangular shape) parallel elements Possibly, the current flowing in the same direction.;大角度离子注入（100nm离子注入工艺） 随着器件特征尺寸的不断缩小，工艺制造进入0.10-0.13μm技术代，此时短沟道效应的现象最为突出即：当FET源极和漏极之间的距离变小时MOSFET的阈值电压下降。100nm器件工艺必须用到大角度离子注入工艺，即Halo的注入工艺。主要是防止漏源相通，降低延伸区的结深以及缩短沟道长度，使载流子分布更陡，提高芯片的性能。;an MOS transistor is not a symmetrical device. to avoid channeling of implanted ions the wafer is tilted by about 7 degrees.;就CMOS晶体管而言，对其特性影响最大的参数是栅长和栅宽。 在工艺中采用的某些刻蚀方法常常在一个方向上刻蚀得快些。这样发生在一个晶体管宽度上的刻蚀误差将出现在另一个晶体管的长度上。 ;当集成电路产业刚刚起步的时候，制造工业仍然相对落后。即使你将两个需要匹配的器件放的很近，我们也仍然无法保证它们的一致性。 现在虽然制造工艺越来越精确，但是匹配问题的研究从来就没有停止过，相反地，匹配问题显得日益突出和重要。 匹配分为横向匹配、 纵向匹配和中心匹配。实现匹配有三个要点需要考虑: 需要匹配的器件彼此靠近 注意周围器件 保持匹配器件方向一致 遵守这 3条基本原则，就可以很好的实现匹配。;之一：根器件方法 root device method 根部件，在这里指这样一个电阻，可以根据这一个电阻设计出所有其他的电阻。 我们经常在选择根器件的时侯, 用最小的电阻作为根器件，这样的选择当然也可以实现我们需要的匹配，但同时我们却忽略了另外一个问题，那就是像 2 K Ω 这样的电阻如果用 2 5 0 Ω 做根器件，那么就需要 8个根器件串联起来实现，这就导致了这 8个电阻之间接触电阻也同时加大了，这是我们不希望看到的。;之一：根器件方法 root device method 采用根部件的最好方法是找出一个中间值，例如用 1 K Ω 的电阻作为值将电阻串联和并联起来。这种方法节省了接触电阻的总数使其所占的比例减少, 面积也许会减少，因为电阻之间的间隙数少了，现在占主导地位的是电阻器件本身的薄层电阻，而非接触电阻。 利用根部件时，如果所有的电阻尺寸一样，形状一样，方向一致而且相互靠近，那么就可以得到一个很好的匹配。;之一：根器件方法 root