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数字电路09CH4-12与非门
第四章 基本数字电路
第二节 基本逻辑门电路
第三节 触发器
第四节 存储器电路
第五节 可编程逻辑器件
第六节 数字电路的基本参数及测量技术
小结
第一节 集成电路的分类
讲义第四章:P187
了解基本数字电路的工作原理;
熟悉基本数字电路的输入输出结构、主要技术参数及主要用途;
掌握常用触发器的表示方式及触发方式;
了解可编程逻辑器件的特点。
学习重点
第四章 基本数字电路
第一节 数字集成电路的分类
双极型集成逻辑门
MOS集成逻辑门
按器件类型分
按集成度分
SSI(100以下个等效门)
MSI(〈103个等效门)
LSI (〈104个等效门)
VLSI(104~ 106个等效门)
按功能分
基本门电路、组合逻辑模块
触发器、时序逻辑模块、存储器
ULSI(106个以上等效门)
4-2-1 典型TTL与非门工作原理
TTL与非门
TTL与非门工作原理
TTL与非门的工作速度
TTL与非门的外特性及主要参数
三极管的开关特性
第二节 基本逻辑门电路
三极管的开关特性
共射极三极管电路及其输出特性
三极管的开关特性
t1为三极管由截止转向导通的延迟时间,t2为三极管由截止转向导通的电流建立时间,称为上升时间,t3为三极管由导通转向截止的存储时间,t4为三极管由导通转向截止的电流消失时间,称为下降时间。因此,三极管的打开时间为延迟时间与建立时间之和,即tON= t1+t2。三极管的关断时间为存储时间与下降时间之和,即tOFF= t3+t4。
讲义P201
三极管的开关特性
等效理想三极管开关特性
TTL与非门电路
TTL与非门工作原理
输入端至少有一个接低电平:
0 .3V
3 .6V
3 .6V
1V
3 .6V
T1管:A端发射结导通,Vb1 = VA + Vbe1 = 1V,
其它发射结均因反偏而截止。
5-0.7-0.7=3.6V
Vb1 =1V,所以T2、T5截止,VC2≈Vcc=5V。
T3:微饱和状态。
T4:放大状态。
电路输出高电平为:
5V
输入端全为高电平:
3 .6V
3 .6V
2.1V
0 .3V
T1:Vb1= Vbc1+Vbe2+Vbe5 = 0.7V×3 = 2.1V
因此输出为逻辑低电平VOL = 0.3V
3 .6V
发射结反偏而集电极正偏,处于倒置放大状态。
T2:饱和状态
T3:Vc2 = Vces2 + Vbe5≈1V,使T3导通,Ve3 = Vc2-Vbe3 = 1-0.7≈0.3V,使T4截止。
T5处于深饱和状态,
TTL与非门工作原理
输入端全为高电平,输出为低电平。
输入至少有一个为低电平时,输出为高电平。
由此可见电路的输出和输入之间满足与非逻辑关系。
TTL与非门工作原理
TTL与非门工作速度
存在问题:TTL门电路工作速度相对于MOS较快,但由于当输出为低电平时T5工作在深度饱和状态,当输出由低转为高电平,基区和集电区存储电荷不能马上消散,而影响工作速度。
改进型TTL与非门
可能工作在饱和状态下的晶体管T1、T2、T3、T5都用带有肖特基势垒二极管(SBD)的三极管代替,以限制其饱和深度,提高工作速度。
改进型TTL与非门
增加有源泄放电路
1. 提高工作速度
减少了电路的开启时间
缩短了电路关闭时间
2. 提高抗干扰能力
T2、T5同时导通,因此电压传输特性曲线过渡区变窄,曲线变陡,输入低电平噪声容限VNL提高了0.7V左右。
数字集成电路的主要技术特性
P191
一、输入/输出电压
VIH表示数字电路输入高电平时允许的最低电平(又称开门电平Von)
VIL表示数字电路输入低电平是允许的最高电平(又称关门电平Voff)
VOH表示数字电路输出高电平时允许的最低电平(又称标准高电平)
VOL表示数字电路输出低电平时允许的最高电平 (又称标准低电平)
数字电路的逻辑电平
数字逻辑中的逻辑值1和0在数字电路里用高低电平来表示,但多高的电平是高电平、多低的电平是低电平,必须有一定的标准。不同工艺的数字集成电路具有不同的逻辑电平标准
数字集成电路的主要技术特性
二、抗干扰容限电平
当输入信号在一定范围内波动时不会引起输出电平的改变,这个波动范围就称为输入噪声容限,用VNH和VNL来表示。即
VNH = VOH VIH
VNL = VIL – VOL
不同工艺的数字集成电路具有不同的噪声容限
TTL“与非”门输入电压VI与输出电压VO之间的关系曲线,即 VO = f(VI)。
三、电压传输特性
数字集成电路的主要技术特性
数字集成电路的主要技术特性
四 、输入特性
输入电流与输入电压之间
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