功能陶瓷 电介质陶瓷和绝缘陶瓷 高介 半导体电介质陶瓷.ppt

半导体电介质陶瓷;大多数含TiO2的材料，无论其TiO2是以单相还是同其它化合物结合形式存在，当处于还原气氛下烧成时材料均将导电。而添加适量的杂质原子对材料的抗还原性会产生很大影响。通常受主掺杂原子有利于提高材料的抗还原能力，而施主原子则将降低材料的抗还原性。若在空气或氧气下退火，大多数材料均可重新获得高阻抗态。;*;阻挡层电容器的制备主要是根据被还原了的化合物可部分再氧化这一原理，它使得材料表而具有高阻抗特性，而内部却是导电的。因此材料的有效介电层厚度为简单氧化层厚度h0的两倍。相对于全部被氧化的材料来说，这种材料的介电常数得到了明显的提高，且两者介电常数之比为h/2h0 (h是整个材料的厚度）。另一方面，若每个导电粒子均被绝缘阻挡层包围，则整个陶瓷中均存在介电特性。;(a)再氧化层元件 将约0.5mm厚的BaTiO3或SrTiO3圆片经过还原气氛烧结等工艺，可制成高阻抗表面氧化层元件。在圆片的表面刷上银电极涂层，并在大约800℃下煅烧。银电极涂层含有PbO-Bi2O3-B2O3等可形成玻璃态的氧化物，外加约lmol%的受主杂质，如铜。因此在钛酸盐表面形成大约10μm的绝缘薄层，它可使得电极和半导电钛酸盐相互隔离，并具有很高的电容特性。由于大部分电容器电压作用于二个介电薄层上，从而使得工作电压低，一般为10V左右，因此很容易获得单位面积近于10mFm-2的电容值。; (b)内绝缘阻挡层 导致材料具有很大有效介电常数的再氧化绝缘薄层，其性质同压敏电阻相似。由于在半导体晶粒表面上存在着肖特基绝缘阻挡层，这将使得它们具有与两个背对背二极管相同的特性。由于其电流必须较低，因而工作电压也受到限制。为了使材料满足抗高压性能的要求，在电极之间应存在大量的这种陶瓷绝缘阻挡层，另外还含有晶界相，在氧化作用下，其中的氧离子和杂质离子能扩散到晶面。; (b)内绝缘层 这些材料的晶体尺寸大约为25微米，若晶体更小(10μm)则将导致其很大一部分体积成为肖特基绝缘层，因而材料的电阻率大大提高。如果晶体尺寸大于50μm，则电极间仅含有少量的高阻抗阻挡层，元件容易被击穿。掺入10%左右的硅和铝，可导致晶界层形成，且这些离子在高温下易于朝着氧离子迁移并形成相应的高阻抗氧化层。添加适量的Dy或其它施主杂质离子将给材料的还原处理带来好处。; (b)内绝缘层 圆片或其它形状的材料首先应在空气下预烧，以除去有机物质，而后进行高温煅烧，材料中出现晶粒生长。通入CO2或H2，可控制晶粒过分长大。冷却后在圆片的表面涂上含Cu,Mn,Bi,Ti等受主杂质的氧化硼玻璃料，再在1300-1400℃烧成。受主离子沿着晶界扩散，如同对含非贵重金属电极的叠层电容器介电材料能形成保护作用一样，它可大大改善晶粒的表面性质。然而由于对晶粒的界面相组成和结构的了解非常困难，因而有关其性能的更详细情况目前还不完全清楚。; (b)内绝缘层 圆片或其它形状的材料首先应在空气下预烧，以除去有机物质，而后进行高温煅烧，材料中出现晶粒生长。通入CO2或H2，可控制晶粒过分长大。冷却后在圆片的表面涂上含Cu,Mn,Bi,Ti等受主杂质的氧化硼玻璃料，再在1300-1400℃烧成。受主离子沿着晶界扩散，如同对含非贵重金属电极的叠层电容器介电材料能形成保护作用一样，它可大大改善晶粒的表面性质。然而由于对晶粒的界面相组成和结构的了解非常困难，因而有关其性能的更详细情况目前还不完全清楚。; (c)计算模型 设 则每个单元的电容 晶体块状材料的电容 由于单位面积存在 个小块，则单位面积的电容C为: 电介质的有效相对介电常数可求得 若 则 在实际中是可以得到这样结果，且通常其tanδ为0.03。 ;*;SrTiO3电容器元件比BaTiO3的对电场和温度的稳定性要好。当它处于最大直流电场的作用下，电容仅降低约5%。向当温度在-20~+85℃范围发生改变时，电容值的变化不超过±20%，有效介电常数为10000-20000。通常BaTiO3材料的有效介电常数高达50000，其性能和低温烧成的铅-铌陶瓷相似。 绝缘阻挡电容器比叠层电容器成本便宜一些，在低压范围应用时两者各有优点。;1.装置瓷、电容器瓷、铁电压电瓷：ρV＞1012Ω?cm ，防止半导化，保证高绝缘电阻率； 半导体瓷：ρV＜106Ω?cm 2. 半导体瓷：传感器用，作为敏感材料，电阻型敏感材料为主： ρV或ρS对热、光、电压、气氛、湿度敏感，故可作各种热敏、光敏、压敏、气敏、湿敏材料。 3.非半导体瓷——体效应（晶粒本身） 半导体瓷——晶界效应及表面