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集成电路制造技术_第二章氧化(part1).-西安电子科技大学
第二章 氧 化;;第二章 氧化;掺杂阻挡氧化层 ;栅氧化物介电层 ;氧化层应用;氧化层应用;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;;例：SiO2掩蔽P扩散 P2O5+SiO2 →PSG（磷硅玻璃）;2.3 硅的热氧化生长动力学;2.3.1 硅的热氧化;2.3.1 硅的热氧化;2.水汽氧化：高温下，硅片与高纯水蒸汽反应生成SiO2
机理－ ①起始氧化：2H2O+Si SiO2+2H2↑
②后续氧化——两种机理
一种：H2O先扩散到达Si/SiO2界面；再与Si氧化。
另一种（包括三个步骤）：;2.3.1 硅的热氧化;2.3.1 硅的热氧化;2.3.1 硅的热氧化;2.3.1 硅的热氧化;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;根??稳态条件F1=F2=F3可以得到：;热氧化生长速率— 氧化层厚度与氧化时间的关系;2.3.2 热氧化生长动力学;;;练习：;2.3.2 热氧化生长动力学
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