第二章门电路数字电路基础总汇.ppt

数字电子技术基础简明教程;概述;2. 1. 1 理想开关的开关特性;二、动态特性;2. 1. 2 半导体二极管的开关特性;;二、动态特性;一、静态特性;(3) 输入特性;极限参数限定BJT的安全工作区;2. 开关应用举例;饱和导通条件：;;二、动态特性;2. 1. 4 MOS 管的开关特性;N沟道增强型MOSFET;源极S;增强型NMOS管的工作原理;2. uGS0 但uGSUT （在栅-源极间加上正向电压）;3. uGS继续增加;综上： 增强型NMOS管在uGS＜UT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态； 只有当uGS≥UT时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压uDS，才有漏极电流产生。 而且uGS增大时，沟道变厚.;(二) uDS对iD的影响(当uGSUT且为一确定值时);随着uDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当uDS增加到使uGD=uGS-uDS=UT(或uDS=uGS-UT)时，沟道在漏极一端出现预夹断，即只要uDS再增加一点，沟道就被夹断，成为耗尽区。图(b) ;输出特性曲线：;转移特性曲线：;耗尽型NMOS管的结构示意图;输出特性曲线：;;(电压控制型);P 沟道增强型 MOS 管 与 N 沟道有对偶关系。 ;2. MOS管的开关作用：;(2) P 沟道增强型 MOS 管;uY;二、二极管或门;正与门真值表;课后复习：二极管的开关特性、二极管与门和或门;一、半导体三极管非门;电压关系表;二、MOS 三极管非门;2. 4 TTL 集成门电路;2. 工作原理;+VCC(5V);1.4V;+VCC(5V);2. 4. 2 TTL与非门和其他逻辑门电路;+VCC +5V;;;2. 4. 3 TTL 集电极开路门和三态门;;OC门结构;+VCC +5V;二、 输出三态门 –TSL门(Three - State Logic);以使能端低电平有效为例：;P = 0 (低电平);作业： P108 题2－20;2.3 CMOS集成门电路;2.3.2 CMOS与非门、或非门、与门和或门;二、CMOS或非门;与门;2.3.3 CMOS与或非门和异或门;二、CMOS异或门;2.3.4、CMOS传输门、 TSL门和OD门;二、CMOS TSL门;三、CMOS OD门;1.3.2 TTL与非门外特性和参数;简化的传输特性( UO ?UI )曲线 — 二值性曲线; 通用：UOH?2.4V ， UOL ?0.4V ;二、输入负载特性 (UI ?RI );UI=;当RI较小时：;;2;? RI ? UI 关系 :;三、扇出系数(fan out);1. 与非门输出为 高电平时： （ UIL: T2 、T5 截止，T3、 T4导通。）;2. 与非门输出为 低电平时：;四、动态特性;§1.5 MOS门电路;MOS门的开关作用;二 、 MOS门电路;0 1;???源负载的MOS反相器（非门）;2. CMOS反相器;“0” (0V);“0” (0V);0V;3. CMOS与非门;4. CMOS或非门;本章小结：;附: 门电路的常见逻辑符号;三、集成门电路 — 本章重点;;[练习] 写出图中所示各个门电路输出端的逻辑表达式。;[练习] 写出图中所示各个门电路输出端的逻辑表达式。;作业： P135 2.2 2.4 a c g j l 2.5 a c d f 2.6 f g 2.13 b d