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模拟电子电路基础2-2
引言;2.2 结型场效应管;2.2.1 JFET的结构及基本工作原理;G;G;综上分析，可得下述结论:;输出特性的斜率随栅源电压而变化，栅源电压愈负，输出特性曲线相对纵坐标轴愈倾斜,漏源间的等效电阻愈大。 ;2.2.2 JFET特性曲线及参数;3. 主要参数;在小信号条件下，微分diD、duGS和duDS可以分别用交流小信号id、ugs和uds来代替。 ;2.3 金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）;衬底引线;iD;N+;N+;;5 E型NMOSFET大信号特性方程 ; N沟道增强型MOSFET的输出特性曲线也可分成四个区：可变电阻区（Ⅰ区）、恒流区（Ⅱ区，也称为放大区）、击穿区（Ⅲ区）和截止区（Ⅳ区）。将预夹断方程中的等号改为大于号，管子进入放大区（恒流区）；将等号改为小于号，管子进入可变电阻区。 ;G;2.3.3 MOSFET小信号模型;2.3.3 MOSFET小信号模型 ;1.背栅控制特性 ;3. 亚阈区导电特性 ;3.MOSFET的等效电容 ;4.MOSFET交流小信号等效??型 ;2.3.4 场效应晶体管与双极型晶体管的比较
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