电力电子第9章_电力电子器件应用的共性问题
第9章 电力电子器件应用的共性问题
9.1 电力电子器件的驱动
9.2 电力电子器件的保护
9.3 电力电子器件的串联使用和并联使用;
9.1.1 电力电子器件驱动电路概述
9.1.2 晶闸管的触发电路
9.1.3 典型全控型器件的驱动电路 ;驱动电路
——主电路与控制电路之间的接口,使器件工作在
较理想的开关状态,缩短开关时间,减小开关损耗,
提高装置的运行效率、可靠性和安全性;1、驱动电路的基本任务;◆光隔离一般采用光耦合器
?光耦合器由发光二极管和光敏晶体管组成,封装在一个外壳内。
?有普通、高速和高传输比三种类型。
◆磁隔离的元件通常是脉冲变压器
?当脉冲较宽时,为避免铁心饱和,常采用高频调制和解调的方法。 ;电流驱动型:GTO、GTR;■晶闸管的触发电路
◆作用:产生符合要求的门极触发脉冲,保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。
◆晶闸管触发电路往往包括对其触发时刻进行控制的相位控制电路。
;I;I; ◆由V1、V2构成的脉冲放大环节和脉冲变压器TM和附属电路构成的脉冲输出环节两部分组成。
◆当V1、V2导通时,通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。
◆VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设的。
◆为了获得触发脉冲波形中的强脉冲部分,还需适当附加其它电路环节。 ;1、电流驱动型器件的驱动电路;推荐的门极电压电流波形: ;1、电流驱动型器件的驱动电路;典型直接耦合式GTO驱动电路:;1、电流驱动型器件的驱动电路;理想的基极驱动电流波形:;—抗饱和电路(贝克箝位电路):由箝位二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成;1)电力MOSFET对触发脉冲的要求;2、电压驱动型器件的驱动电路;;
9.2.1 过电压的产生及过电压保护
9.2.2 过电流保护
9.2.3 缓冲电路;1、电力电子装置可能的过电压原因;;2、过电压保护措施;9.2.2 过电流保护;快速熔断器;作用:抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt,
减小器件的开关损耗;按储能元件情况分类:;常用缓冲电路——di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路;常用缓冲电路——di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路;常用缓冲电路——di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路;
;另外两种缓冲电路;当单个器件的电压或电流定额不能满足要求时,
需将器件串联或并联或者将装置串联或并联 。;;;静态均压措施:;2、动态不均压问题;动态均压措施:;;—电力MOSFET并联运行的特点
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