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现象:材料μ’随的增加减小,μ”趋于平坦。
原因: Bi2O3阻碍了材料晶粒尺寸的长大,晶粒尺寸变小(2~5nm),晶界面积增大,从而降低材料磁导率。; Bi2O3对截止频率的影响
现象:fr随含量的增加增加,当含量达到3wt%时,fr1.8GHz。
原因:降低烧结温度形成的多孔细晶粒结构增大了有效各向异性场,提高fr。; Bi2O3对品质因数的影响
现象:掺杂后???复合材料品质因数增大,峰值移向高频。掺杂量高于2wt%后,Q值的增加不明显。
Q值增加原因:降低烧结温度后Fe2+离子减少,材料电阻率提高,Q值增加。; Bi2O3对品质因数的影响
右上图:掺Bi3+1wt% Ts=900 ℃
右下图:掺Bi3+3wt% Ts=900 ℃
现象:随掺杂量的增加,晶粒尺寸减小,气孔率增加。在Bi3+含量为3wt%时晶型趋于完整,晶粒边界较为平直,一次晶粒生长平衡;当Bi3+掺杂量为1wt%时,晶粒细小,近乎于球形,晶粒生长并未完全完成。 ;磁芯样品磁滞回线图;结论;BaTiO3对铁氧体的复合随铁氧体组分的不同而不同。A组分NiCuZn铁氧体,复合后μi降低,性能未有改善。B组分铁氧体,虽然μi下降,但Q值显著增大2~4倍,fr提高1~2数量级,ε提高6~7倍;-25℃~85℃温度区间稳定。
Bi2O3不仅可以降低复合材料的烧结温度,还可改善复合材料的磁性能,增大Q值,提高fr。
实验最后制得:850℃预烧,900℃烧结的低温烧结复合双性材料的标准磁芯,测得其起始磁导率μi为6~10,截止频率fr≥1.8GHz,介电常数ε25℃≥60(1MHz)。
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