第四章 放大电路的频率响应综述.ppt

例题一 例题二 作业 4.1.4 4.2.1 4.3.1 4.3.2 单管共基放大电路的高频特性 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 由于输入回路电容较共射电路要小，且共基回路的输入电阻也相对较小，故共基电路的输入回路时间常数会远小于共射电路 因此共基电路电压增益的上截止频率要高于相同工作条件下的共射电路。 4.3.2 单管共基放大电路的高频特性 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 时间常数大，决定主极点频率 4.3.2 单管共基放大电路的高频特性 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 时间常数大，决定主极点频率 4.3.2 单管共基放大电路的高频特性 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 共基放大电路的电流增益、上限截止频率、输入输出阻抗均可较好地满足对电流跟随器的要求。 4.3.2 单管共基放大电路的高频特性 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 忽略 后共基放大电路电压增益的上限截止频率主要由输出回路的极点值决定。 对 的影响程度与 的大小有关； 为了扩展频带，除选用 高的管子外，共基极电路宜于恒流激励，而且 不宜过大。 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 4.3.2 单管共基放大电路的高频特性 若负载带有容性，则输出回路的时间常数可能会限制共基极放大电路的上截频。 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 4.3.2 单管共基放大电路的高频特性 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 4.3.3 单管共集放大电路的高频特性 结电容 跨接于输入、输出端之间，故可根据密勒定理来分析其影响。 由于共集电路的电压跟随特性， 的密勒效应较小，电路的上限截止频率相应会较高，高于相同条件下的共射放大电路。 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 4.3.3 单管共集放大电路的高频特性 由近似分析可知，用减小信号源内阻， 选基区体电阻效应较小的管子，增大负载电阻的方法可以提高共集电路的源电压增益上限截止频率。 当信号源频率较低时，耦合电容、旁路电容的阻抗增加，从而使得增益的模值减小，相移增大。 分析可知，欲降低放大电路的下截止频率，应增加耦合电容的容量，增大放大电路的输入电阻和负载电阻。 直接耦合电路的下截频为零频。 4.3.4 放大电路的低频特性 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 解：C1、 C2、 Ce影响低频特性，每个电容产生一个高通环节。 利用时间常数法，C1、 C2、 Ce中考虑一个电容时，可将其余两个短路。 C1所在回路的等效电路 从C1看进的等效电阻为： C2所在回路的等效电路 从C2看进的等效电阻为： Ce所在回路的等效电路 从Ce看进的等效电阻为： 为改善低频特性， Ce取值要远大于C1、 C2 。 fH fLe fL2 fL1 20-- 80-- 60-- 40-- f f -270-- 0-- -90-- -180-- fH fLe fL2 fL1 90-- 10fLe 0.1fH 10fH 多级放大电路的通频带窄于每一单级电路的通频带，且级联的级数越多，通频带就越窄。 可用解高阶代数方程的方法来严格求解多级放大电路的上、下限截止频率 1.1为修正系数，以提高公式的近似精度。 一、多级放大电路的通频带和截止频率 4.1.3 多级放大电路的频率特性 在一个低通系统中，若有n个极点和m个零点，其中有一个(或几个靠得很近的)极点(或零点)最低，与其它极、零点相隔较远，则最低的极点(或零点)称为主极点(或主零点)。 类似地，可以在高通系统中定义主极点(或主零点)。 当系统存在主极、零点时，其上、下限截止频率由主极、零点近似确定，非主极、零点的影响较小。 但要注意非主极点对相角的贡献有时是不能忽略的。 二、主极点和主极点频率 单级 4.1.3 多级放大电路的频率特性 第二节 晶体管的频率特性 4.2.1 双极型晶体管的高频参数 第二节 晶体管的频率特性 4.2.1 双极型晶体管的高频参数 即混合π模型图中的输出端短路。 共射电流放大系数的定义为： 低、中频时可认为电容开路，电流 与频率基本无关。 第二节 晶体管的频率特性 4.2.1 双极型晶体管的高频参数 而 fT f? , 所以 参数 第二节 晶体管的频率特性 4.2.1 双极型晶体管的高频参数 fT表征晶体管的高频放大能力。 特征频率 第二节 晶体管的频率特性 4.2.1 双极型晶体管的高频参数 管子不再有放大能力。 参数估算 共基截止频率 参数 第二节 晶体管的频率特性 4.2.1 双极型晶体管的高频参数 在共基极电路中： 注意晶体管的混合π模型，其频率适用的范围一般在fT/3以内。 以上各频率与工作点有一定关系 第二节 晶体管的频率