纳米SiC掺杂对微波合成MgB2超导体显微结构与超导电性的影响.pdfVIP

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2017-05-05 发布于未知
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纳米SiC掺杂对微波合成MgB2超导体显微结构与超导电性的影响.pdf

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纳米SiC掺杂对微波合成MgB：超导体显微结构与超导电性的影响／郭方方等 · 91· 纳米SiC掺杂对微波合成MgB2超导体显微结构与超导电性的影响虎2 郭方方1一，李志杰1，林枞1，徐政1，彭 (1 同济大学材料科学与工程学院，上海200092； 2长沙隆泰微波热工有限公司．长沙410013) 摘要衍射分析表明，800。C时在流通高纯氲气条件下热处理20min，能形成MgB：主晶相。随着掺杂量的增加，MgB：的晶格参数a、c变小。超导电性的分析结果表明，随着纳米SiC掺杂量的增加，MgB：的临界温度由未掺杂时的38．5K降低至掺杂量戈=0．10时的34．5K。T≤20 K时，MgB：的上(B)性能随纳米SiC掺杂量戈的增加逐渐变好，高场时尤为明显。 Ti25 K时，样品的L(B)性能随戈的增大而逐步降低。这可能是由于纳米SiC掺杂引起的晶粒变小，作为磁通钉扎中心的晶界面积增加造成的。关键词微波合成纳米SiC掺杂MgB：超导体显微结构超导电性 EffectsofNano-SiConMicrostructureand of Doping Bulk MicrowaveTreatment MgBzSuperconductorsSynthesizedby Heating GUO Hu2 Fangfangl,2,LIZhijiel，LINCon91，XUZhen91，PENG (1 SchoolofMaterialScienceand i 200092； Engineering，TongjUniversity，Shanghai 2 SYNO—THERM 41001 Changsha Co．，Ltd，Changsha3) Abstract treatmenLThe andmicrostructureshow canbeformedat800。Cin20 phaseanalysis analysisthat，M【gBcrystalphase minutes， the lattice decrease with increase thevalueofa more．The crystal parametersⅡ，CofMgB2 gradually ofaddition，and depresses results indicatedthatthecritical Tc withtheincreaseofadditionandthe of ofsuperconductinganalysis temperaturedrops properties criticalcurrent with levelwhenthe islowerthan20K．Thisresultismore density上(B)enhancedincreasingdoping temperature distinctat field．The withthe level